Режим - обогащение
Cтраница 1
Режим обогащения соответствует такой полярности приложенного напряжения, при которой основные носители притягиваются к поверхности и образуют тонкий канал с тем же типом проводимости, но с гораздо меньшим удельным сопротивлением. [1]
В режиме обогащения ( рис. 3.6, а) границы энергетических зон вблизи поверхности полупроводника n - типа изгибаются вниз. Если к МДП-структуре прикладывать соответствующее внешнее электрическое поле, притягивающее к поверхности электроны, то можно обеспечить режим обогащения в приповерхностном слое полупроводника. [2]
 |
Содержание кальцита и датолита в продуктах флотации ( по схеме 9. [3] |
Схема и режим обогащения датолитовых руд были проверены в полупромышленном масштабе. [4]
Оно соответствует границе режимов обогащения и обеднения. Напряжение, при котором поверхностный потенциал равен фпор ( 1 - 37) называется пороговым Unop. При t / 3 tAioP концентрация электронов у поверхности равна концентрации акцепторов в подложке, что соответствует границе режимов обеднения и инверсии. [5]
Для уточнения схемы режимов обогащения конгломератов и технологических показателей необходима разработка технологии обогащения с постановкой замкнутых опытов. [6]
 |
Полевой транзистор с индуцированным п-каналом.| Полевой транзистор и-типа с встроенным - каналом. [7] |
При этом транзистор работает в режиме обогащения с - каналом. [8]
Поэтому они работают только в режиме обогащения, когда увеличение напряжения на затворе приводит к росту проводимости канала и, следовательно, тока стока. [9]
 |
Схемные обозначения МДП-транзисторов. [10] |
Прибор может работать только в режиме обогащения, когда поле затвора притягивает носители соответствующего знака, создающие проводящий канал между областями истока и стока. Семейство стоковых характеристик МДП-транзисторов с индуцированным каналом n - типа приведено на рис. 1.11, в. При напряжении на затворе меньшем напряжения отсечки, ток стока / с практически отсутствует. [11]
 |
Схемные обозначения МДП-транзисторов. [12] |
Прибор может работать только в режиме обогащения, когда поле затвора притягивает носители соответствующего знака, создающие проводящий канал между областями истока и стока. При напряжении на затворе меньшем напряжения отсечки, ток стока / с практически отсутствует. [13]
Полевой МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения, образует исходную структурную ячейку МОП ИС. Ввиду своей простоты МОП-ячейка занимает очень малую площадь на кристалле. Высокая плотность расположения МОП-ячеек на кристалле обусловливает широкое использование МОП-технологии при изготовлении СИС и СБИС: микропроцессоров, запоминающих устройств и БИС для цифровых часов. [14]
 |
Статические вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с индуцированным ( а, б и встроенным ( в, г каналом л-типа. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5