Режим - обогащение
Cтраница 5
 |
Структура ( а и стоковые характеристики ( б - со встроенным каналом, в - о индуцированным каналом МДП-транзисторов. [61] |
При приложении положительного напряжения к затвору электрическое поле притягивает электроны из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается и ток стока растет ( режим обогащения) L ( CM. [62]
 |
Статические стоковые ( а и стоко-затворные ( б характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа. [63] |
Так как возникновение и увеличение проводимости канала связано с его обогащением подвижными носителями заряда ( дырками), то считают, что транзисторы подобного типа работают в режиме обогащения. [64]
Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом работают только в режиме обеднения; полевые транзисторы МДП-типа с индуцированным каналом-только в режиме обогащения; полевые транзисторы МДП-типа со встроенным каналом-как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. При наличии соответствующего начального смещения на затворе полевые транзисторы могут работать во всех режимах. [65]
Влажность угля Влага в угле является балластом, удорожающим его транспортировку, затрудняющим подготовку угля к коксованию, его хранение на складах, выдачу из хранилищ и дозирование Влажные угли плохо сортируются и обеспыливаются, что ведет к ухудшению режима обогащения Увеличение влажности готовой шихты выше 8 % требует увеличения расхода тепла при коксовании на 30 кДж / кг шихты на каждый процент влаги При увеличении влажности шихты нарушается обогрев камеры - перегревается низ и недостаточно прогревается верхняя часть При высокой вчажпости ухудшается состояние кладки коксовых печей Увеличение ( уменьшение) влажности шихты гшотив оптимальной на 1 % приводит к увеличению ( уменьшению) периода кокся. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5