Режим - обогащение
Cтраница 2
Этот режим работы полевого транзистора называют режимом обогащения канала носителями заряда. [16]
При изменении направления внешнего электрического поля возникает режим обогащения, так как дырки притягиваются к поверхности и образуют обогащенный слой, где их концентрация выше концентрации акцепторов. Обогащенный слой характеризуется повышенной проводимостью, он экранирует полупроводник от внешнего поля. [17]
Как правило, транзисторы, работающие в режиме обогащения, не имеют первоначального инверсного слоя при нулевом напряжении на затворе в отличие от транзисторов, работающих в режиме обеднения, которые являются более важными, поскольку могут работать как при положительном, так и при отрицательном напряжениях на затворе. Из рассмотрения очевидно, что МДП-транзис-тор с каналом - типа при положительном напряжении на затворе и МДП-транзистор с каналом р-типа при отрицательном напряжении на затворе работают в режиме обогащения. С другой стороны, МДП-транзистор с каналом - типа при отрицательном напряжении на затворе и МДП-транзистор с каналом р-типа при положительном напряжении на затворе работают в режиме обеднения. [18]
Транзисторы второй группы способны работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. [19]
 |
Структура МОП-транзистора ( схематичное изображение.| Условное обозначение МОП-транзисторов с р-каналом ( о и п-кана-лом ( б. [20] |
Такие приборы называются МОП-транзисторами, работающими в режиме обогащения. [21]
Другая возможная структура МОП-транзистора позволяет работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, подобном режиму полевого транзистора с p - n - переходом. [22]
Усилители, в которых используется МДП-транзистор, работающий в режиме обогащения, имеют преимущества перед другими усилительными устройствами в подаче напряжения смещения. [23]
Очевидно, МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. [24]
 |
Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [25] |
Приборы с каналом р-типа в принципе могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. Структура такого транзистора подобна структуре транзистора с каналом п-типа. Отличие заключается в том, что подложка имеет электропроводность л-типа, а исток и сток представляют собой сильно легированные области р-типа. [26]
 |
Зависимость тока насыщения МДП-транзистора с каналом я-типа в режиме обогащения от напряжения на затворе при постоянном Vc. [27] |
Рассмотрим, например, работу МДП-транзистора с каналом и-типа в режиме обогащения. При малых положительных Vs из объема полупроводника к поверхности подходят электроны. [28]
 |
Структура части МДП-транзистора, принятая для расчета выходных статических характеристик. [29] |
МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5