Режим - обогащение
Cтраница 4
Поскольку в таком транзисторе индуцированный канал появляется лишь при 1 / ЗИ Un0f, то работа его ограничивается режимом обогащения. [46]
Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом работают только в режиме обеднения; полевые транзисторы МДП-типа с индуцированным каналом-только в режиме обогащения; полевые транзисторы МДП-типа со встроенным каналом-как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. При наличии соответствующего начального смещения на затворе полевые транзисторы могут работать во всех режимах. [47]
На основе изучения флотационных свойств гидроборацита, да-толита, гипса, кальцита, геденбергита и граната разработаны схемы и режимы обогащения, впервые позволившие отделить гидроборацит от гипса и датолит от кальцита, кварца, геденбергита и граната. [48]
Рассмотренный транзистор с собственным каналом, таким образом, может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [50]
Таким образом, МДП-транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. МДП-транзисторы с индуцированным каналом работают только в режиме обогащения. [51]
 |
Характеристики полевого транзистора со встроенным ка-налом.| Условные обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором. [52] |
При повышении потенциала затвора относительно потенциала истока ( н3 0) ток в канале увеличивается и при этом канал работает в режиме обогащения. [53]
 |
Структура ( а-г и выходные характеристики ( д полевого транзистора с управляющим р-я-переходом и каналом п-типа. [54] |
Полевые транзисторы могут работать в обедненном режиме ( режиме обеднения), характеризующемся уменьшением проводимости канала, или в обогащенном режиме ( режиме обогащения, аккумуляции), характеризующемся увеличением проводимости канала. [55]
Поскольку при увеличении положительного смещения на затворе от нуля до нескольких вольт анодный ток возрастает на несколько порядков, то этот режим работы назван режимом обогащения. Режим обогащения представляет особый интерес в микроэлектронике, поскольку он позволяет осуществлять непосредственную связь между каскадами и исключать переходные конденсаторы. [56]
В схеме на рис. 1.2 а используется ПТ с управляющим р-п-переходом, а в схеме на рис. 1.2 6 - МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения. На рис. 1.2 в изображен МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения. [57]
 |
Выходные характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом п-типа. [58] |
ДЛЯ / с, / нас И g МОЖНО получить из (10.6) - (10.8) простым приравниванием Узо0 - МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. [59]
МДП транзисторы с встроенным каналом могут работать в обоих режимах - обогащения и обеднения, в то время как транзисторы с индуцированным каналом - лишь в режиме обогащения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5