Рекомбинация - носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Газоразрядный прибор. [1] |
Рекомбинация носителей зарядов - процесс, обратный ионизации. При рекомбинации из положительных ионов и электронов образуются нейтральные атомы. Так как на ионизацию атома была затрачена энергия, то при воссоединении иона и электрона энергия излучается в пространство, что сопровождается иногда свечением газа. Процесс рекомбинации происходит в основном на поверхности электродов газоразрядного прибора или на стенках его баллона, хотя некоторое число заряженных частиц рекомбинирует и в объеме газа. [2]
Рекомбинация носителей заряда приводит к образованию электронно-возбужденных состояний кристалла. [3]
Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковом материале характеризуется величиной, которая называется временем жизни неосновных носителей заряда. [4]
При рекомбинации носителей заряда возможны различные перераспределения энергии. При излучательной рекомбинации энергия и импульс, освободившиеся при рекомбинации электрона и дырки, излучаются в виде света. При безызлучатель-ной рекомбинации освободившаяся энергия выделяется в виде тепла. [5]
Когда рекомбинация носителей заряда в обедненном слое оказывает существенное влияние на ток в области перехода, то допущение, обычно используемое при определении зависимости Щх, V) от напряжения смещения, заключается в том, что диффузионной составляющей тока в обедненном слое пренебрегают. В этом случае в любой точке такого слоя U ( x, V) является функцией лишь концентрации носителей и их времени жизни. Интегрирование уравнения (2.1) по всей толщине обедненного слоя ( Хр х хп) позволяет определить соответствующую этому слою составляющую рекомбинационного тока диода. Для нахождения полного тока, протекающего через элемент, эту составляющую необходимо суммировать с токами в квазинейтральных областях. [6]
 |
Включение транзистора в схему усилителя. [7] |
Чтобы процесс рекомбинации носителей зарядов в базе не снижал усиления транзистора, толщина базы должна быть много меньше длины диффузионного пробега носителей зарядов. [8]
Различные процессы рекомбинации носителей заряда приводят к разным зависимостям стационарного фототока от интенсивности света. [9]
Шумы генерации - рекомбинации носителей зарядов в обедненном слое, зависящие от частоты по закону 1 / /, на частотах / 10 кГц можно не учитывать, в то время как в обычном биполярном транзисторе они являются основными. Поэтому полевой транзистор обладает значительно более низким уровнем шумов по сравнению с обычным биполярным транзистором. [10]
Поскольку генерация и рекомбинация носителей заряда происходят за счет энергии тепловых колебаний решетки, то величины g / и г /, которые обозначим в этом случае через g0 и г0, определяют скорости изменения концентрации частиц в результате тепловой генерации и рекомбинации. Величины п и р, обозначаемые в этом случае через 0 и р0, представляют собой равновесные концентрации, их называют иногда концентрациями темновых носителей заряда. [11]
Поскольку генерация и рекомбинация носителей заряда происходят за счет энергии тепловых колебаний решетки, величины g / и г /, которые обозначим в этом случае через g0 и г0, определяют скорости изменения концентрации частиц в результате тепловой генерации и рекомбинации. Величины пир, обозначаемые в этом случае через п0 и р, представляют собой равновесные концентрации, их называют иногда концентрациями темповых носителей заряда. [12]
 |
Зависимость удельного сопротивления я-германия от температуры при различных концентрациях доноров. [13] |
Процессы генерации и рекомбинации носителей заряда неотъемлемы друг от друга и в то же время противоположны по содержанию. Генерация является ведущим началом в этом единстве и связана с воздействием таких внешних факторов, как нагрев, освещение или облучение. Рекомбинация представляет собой внутреннюю реакцию системы на появление и возрастание числа носителей. [14]
Что называют процессом рекомбинации носителей заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5