Рекомбинация - носитель - заряд
Cтраница 3
Избыточные шумы вызваны неравномерностью процессов генерации и рекомбинации носителей заряда, а также процессами захвата и освобождения носителей заряда ловушками захвата. Все эти процессы наиболее интенсивно происходят на поверхности полупроводника. [31]
Исчезновение заряда Q происходит как за счет рекомбинации носителей заряда в / - и области, так и за счет протекания переходного обратного тока. Рассмотрим два крайних случая. [32]
 |
Виды поверхностных слоев в полупроводниках п - и р-типов.| Энергетическая диаграмма ( о и распределение зарядов ( б н поверхностном слое полупроводника при наличии поверхностных состояний. [33] |
Быстрые состояния в основном определяют генерацию и рекомбинацию носителей заряда на поверхности, изменяя поверхностную проводимость и оказывая сильное влияние на параметры полупроводниковых приборов. Медленные состояния на поверхности окисной пленки используются для защиты и стабилизации поверхности полупроводниковых приборов, поскольку заряд на этих уровнях экранирует прибор и, закрепляя уровень Ферми, обеспечивает стабильную величину поверхностного потенциала полупроводника. [34]
Элементы генераторов тока iri учитывают генерацию и рекомбинацию носителей заряда в обедненном слое и на поверхности полупроводника. [36]
Светодиод является источником спонтанного излучения, получаемого вследствие рекомбинации носителей заряда. В рабочем состоянии р - n - переход светодиода всегда смещен в прямом направлении. [37]
Расскажите кратко о процессах дрейфа, диффузии и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Электроны инжектируются с одного конца образца кремния дырочной проводимости с концентрацией акцепторов 1016 см-3, а собираются на другом конце образца. [38]
 |
Временные зависимости тока базы ( а и тока коллектора ( б при включении транзистора по схеме с общим эмит - ТРПОМ. [39] |
Избыточные шумы в транзисторе связаны с процессами генерации и рекомбинации носителей заряда в основном на поверхности полупроводника. [40]
Этот вид шума вызывается статистическими флюктуациями скоростей генерации и рекомбинации носителей заряда, что приводит к флюктуациям концентрации свободных носителей в зонах. Известно, что генерация носителей из заполненной зоны или примесных уровней может происходить как следствие забросов электронов в зону проводимости в результате взаимодействия с тепловыми колебаниями решетки, так и путем взаимодействия с квантами падающего на фоторезистор излучения. В соответствии с этим различают компоненты генерационно-рекомби-национного шума, вызванного термическим или радиационным возбуждением. [41]
 |
Устройство светодиода. [42] |
В зависимости от ширины запрещенной зоны полупроводника и особенностей рекомбинации носителей заряда излучение может лежать в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях спектра. [43]
 |
Конструкция точечного светодиода и его габаритные размеры ( мм. [44] |
Принцип действия полупроводниковых индикаторов основан на излучении квантов света при рекомбинации носителей заряда в области p - n - перехода, к которому приложено прямое напряжение. К полупроводниковым индикаторам относится светодиод - полупроводниковый диод, в котором предусмотрена возможность вывода светового излучения из области p - n - перехода сквозь прозрачное окно в корпусе. Цвет излучения определяется материалом, из которого выполнен светодиод. Выпускают светодиоды красного, желтого и зеленого свечения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5