Рекомбинация - носитель - заряд
Cтраница 4
Переход будем считать также достаточно тонким, чтобы генерацией и рекомбинацией носителей заряда в нем можно было пренебречь. [46]
 |
Классификация оптоэлектронных полупроводниковых приборов. [47] |
Излучение полупроводниковых приборов отображения информации и инфракрасных излучающих диодов вызвано самопроизвольной рекомбинацией носителей заряда при прохождении прямого тока через выпрямляющий электрический переход. Рекомбинация носителей заряда может происходить как в самом выпрямляющем электрическом переходе, так и в прилегающих к этому переходу областях структуры. [48]
 |
Структура электролюминесцентного порошкового излучателя ( конденсатора.| Яркостная характеристика электролюминесцентного порошкового излучателя. [49] |
После возбуждения поверхностных слоев зерен электролюминофора происходит процесс высвечивания электролюминофора - рекомбинация носителей заряда с выделением избыточной энергии в виде квантов света. Наряду с излучательной рекомбинацией происходит и безызлучательная рекомбинация, при которой избыточная энергия выделяется в виде квантов тепловой энергии. [50]
Увеличение базового тока приводит к увеличению заряда Q в базе, рекомбинация носителей заряда вызывает его уменьшение. [51]
Показано [240], что энергия, выделившаяся в актах захвата и рекомбинации носителей заряда на поверхностные состояния, может стимулировать процессы десорбции и диссоциации адсорбированных молекул, адсорболю-минесценцию и экзоэлектронную эмиссию. [52]
Сущность этих теорий, в основном, связана с генерацией и рекомбинацией носителей заряда на различных ловушечных уровнях. [53]
Наряду с движением зарядов существенную роль в полупроводниковых приборах играет генерация и рекомбинация носителей зарядов. [54]
При меньшей ширине запрещенной зоны исходного полупроводника кванты энергий, освобождающиеся при рекомбинации носителей заряда, соответствуют инфракрасной области излучения. [55]
 |
Классификация оптоэлектронных полупроводниковых приборов. [56] |
При меньшей ширине запрещенной зоны исходного полупроводника кванты энергии, освобождающиеся при рекомбинации носителей заряда, соответствуют инфракрасной области излучения. [57]
 |
Ионизационная модель дефектообразования. [58] |
В ней предполагается, что энергия, выделившаяся в актах захвата или рекомбинации носителей заряда, переходит в колебательную энергию, локализованную в окрестностях дефекта. Возникшие локальные моды дефекта могут обладать достаточно большими амплитудами, что приведет либо к диффузии дефекта, либо к его перестройке, либо к образованию нового дефекта. [59]
Из многих известных механизмов рекомбинации в кремнии и германии доминирующим является механизм рекомбинации носителей заряда через ловушки. Ловушками ( центрами рекомбинации) могут служить атомы ряда элементов таблицы Д. И. Менделеева ( золото, платина, медь, серебро и др.), дефекты кристаллической решетки. Ловушки, как правило, создают ряд уровней в запрещенной зоне полупроводника, однако наиболее эффективен с точки зрения рекомбинации один из уровней, который наиболее близок к середине запрещенной зоны. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5