Рекомбинация - носитель - заряд
Cтраница 2
Как влияет процесс рекомбинации носителей заряда в р-п-переходе диода на его ВАХ. [16]
Это вызывает усиление рекомбинации носителей заряда в базе, вследствие чего уменьшается эмиттерная составляющая тока, переданного в коллектор ( / Кр), а следовательно, уменьшится коэффициент передачи тока эмиттера а. Инерционность процессов в базе приводит также к фазовому сдвигу между токами 1Эр и / К; поэтому Я21Б становится величиной комплексной. [17]
Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на усилительные свойства транзистора используется коэффициент переноса носителей в базе, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода. [18]
В обратном процессе - рекомбинации носителей заряда - должна выделяться энергия, величина которой также не меньше ширины запрещенной зоны. [19]
Они объясняются изменением процессов рекомбинации носителей заряда на поверхности и г приповерхностной области объемного заряда, состоящим в возрастании эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда. [20]
Таким образом, процессы рекомбинации носителей заряда в ОПЗ эмиттера приводят к сильному уменьшению коэффициента передачи тока в области малых токов эмиттера. [21]
Lp) потери на рекомбинацию носителей заряда в базе малы, коэффициент переноса близок к единице. [22]
Обычно излучение светодиода вызвано самопроизвольной рекомбинацией носителей заряда при их инжекции под действием прямого напряжения на электронно-дырочном переходе. Рекомбинация носителей может происходить как в прилегающих к p - n - переходу областях, так и в самом p - n - переходе. Иногда возбужденное состояние носителей заряда в светодиоде создают подачей обратного напряжения, при котором происходит ударная ионизация атомов полупроводника в р-п-переходе с последующей рекомбинацией неравновесных носителей заряда. [23]
 |
Различные механизмы генерации и рекомбинации носителей заряда. [24] |
В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомбинации носителей заряда взаимно уравновешены. [25]
Трудно создать структуру р-я-перехода, в которой рекомбинация носителей заряда происходила бы в слое, оптимальном с точки зрения излучательной рекомбинации или с точки зрения квантового выхода электролюминесценции в широком диапазоне изменения плотности тока. [26]
 |
Пояснение скачкооб - транзистора в режиме насыщения. [27] |
Избыточные шумы вызваны неравномерностью процессов генерации и рекомбинации носителей заряда, а также процессами захвата и освобождения носителей заряда ловушками захвата. Все эти процессы наиболее интенсивно происходят на поверхности полупроводника. [28]
В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомбинации носителей заряда взаимно уравновешены. При этом в полупроводнике существуют равновесные концентрации электронов о и дырок ро. [29]
 |
Пояснение скачкооб транзистора в режиме насыщения. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5