Cтраница 5
Имеются и другие теории, в которых даны пояснения различных процессов рождения и рекомбинации носителей заряда. [61]
В общем случае значения Дпс и Дрс зависят от характера процессов захвата и рекомбинации носителей заряда в полупроводнике и не равны друг другу. Однако при ДпсДрс спад избыточной концентрации носителей заряда во времени после мгновенного прекращения генерации происходит в соответствии с выражением Ap ( t) Дя ( /) Длсехр ( - t / r), где т - время жизни неравновесных электронно-дырочных пар. [62]