Диод - шотка
Cтраница 1
Диоды Шотки уменьшают логический перепад, избыточный заряд и выходную емкость ЛЭ, вследствие чего снижается средняя задержка. [1]
Диод Шотки имеет структуру металл - полупроводник, граница раздела которой представляет собой выпрямляющий переход. Ток через переход состоит только из основных носителей заряда. Поэтому при прямом напряжении на коллекторном переходе транзистора ключа ток базы проходит только через диод Шотки, а ток через коллекторный переход весьма мал. Транзисторы Шотки обладают быстродействием, на порядок большим, чем аналогичные биполярные транзисторы. [2]
Диод Шотки ( ДШ) - прибор, принцип действия которого основан на нелинейности В А X, образующейся при прохождении основными носителями заряда контакта металл - полупроводник. Свойства ДШ во многом сходны со свойствами диодов с резко несимметричным р-л-переходом. Поэтому быстродействие ДШ в принципе значительно выше, чем у диодов с р-л-перех одами. ДШ могут выполнять почти все функции диодов с / 7-л-переходами. На рис. ЗЛО приведен один из вариантов конструкции ДШ. [3]
Диоды Шотки, включенные между входными и общим выводами, обеспечивают защиту входов ЛЭ от отрицательного напряжения помех. [4]
Диоды Шотки типа VD1 уменьшают амплитуду напряжения на эмиттерных р-п переходах при переключении ЛЭ на величину 11Л ( прямое напряжение на этих диодах), следовательно, уменьшается заряд, накапливаемый в барьерной емкости эмиттерного р-п перехода. Уменьшается и выходная емкость ЛЭ. [5]
Преимущества диода Шотки становятся особенно заметными при выпрямлении малых напряжений. Максимальная рабочая частота ДШ превышает 200 кГц при токе до 30 А. [6]
В диодах Шотки ( в металле, куда приходят электроны из полупроводника) отсутствуют процессы накопления и рассасывания зарядов неосновных носителей, характерные для электронно-дырочных переходов. [7]
 |
Пример выполнения логической функции на переключателях тока. [8] |
Для реализации диодов Шотки, фиксирующих прямое напряжение низкого уровня открытых коллекторных переходов, у всех транзисторов выделяются участки в вы-сокоомных коллекторных областях л-типа. [9]
 |
Обеспечение ненасыщенного режима биполярного транзистора. а - распределение напряжений в насыщенном транзисторе. б - биполярный транзистор с диодами Шотки, в - условное изображение триода. [10] |
Другое достоинство диодов Шотки состоит в том, что для отпирания их требуется напряжение 0 2 - 0 4 В против 0 4 - 0 7 В для диодов с р - / г-переходом и может регулироваться подбором металла, образующего контакт с полупроводником. [11]
 |
Базовый элемент микросхем ТТЛШ. а - принципиальная схема. б - передаточные характеристики. [12] |
Транзисторы с диодами Шотки часто называют транзисторами с барьером Шотки или просто транзисторами Шотки. Когда транзистор заперт или находится в ненасыщенном режиме, потенциал коллектора выше потенциала базы, а значит, диод смещен в обратном направлении и не влияет на работу транзистора. [13]
 |
Маркировка диодов.| Параметры диодов. [14] |
Более того, диоды Шотки используются в основном в режиме пробоя. Рабочее напряжение пробоя устанавливается в процессе легирования полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5