Диод - шотка
Cтраница 4
Входы и выход ЛЭ защищены от отрицательного напряжения помех диодами Шотки. [46]
Иигебритсеи К - Акустоэлектрониое запоминающее устройство / коррелятор на диодах Шотки - новый прибор для программируемой обработки сигналов / / ТИИЭР. [47]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [48]
Повышение быстродействия здесь получено снижением степени насыщения транзисторов за счет применения диодов Шотки, шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора. Диоды Шотки имеют существенно меньшее пороговое напряжение открывания, чем переход коллектор-база, поэтому во время действия входного импульса диоды Шотки открываются раньше, чем переход коллектор-база, таким образом предотвращается накопление избыточных зарядов в базовой области транзисторов. Накопления заряда в самих диодах Шотки не происходит, так как протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. [49]
 |
Динамические параметры микросхем ТТЛ. [50] |
В электрической схеме элемента серии К555 вместо многоэмиттер-ного транзистора использована матрица диодов Шотки. Микросхемы серии К555, как нетрудно видеть из сравнительной таблицы параметров ( табл. 1.1), по быстродействию соответствуют серии К155 ( потребляе - ток уменьшен в пять раз1, по экономичности уступают микросхе-с серии К134 ( 1 мВт) всего в 2 раза, но в итоге потребляют энер - на перенос 1 бита информации в 1 5 раза меньше. [51]
 |
Частотная зависимость добротности кремниевых ( а и. [52] |
Аналогичный механизм изменения барьерной емкости при освещении имеет место и у диодов Шотки. Перспективными для использования в качестве фотоемкостей являются МДП-структуры ( гл. [53]
Пониженные значения токов утечки и емкости переходов обеспечивают их преимущества перед диодами Шотки при работе в высокочастотных схемах. [54]
На рис. 7.29, а, б приведены структура элемента с диодами Шотки двух типов и его эквивалентная схема соответственно. Для создания этой структуры в подложку л - типа, легированную сурьмой до концентрации 1019 см-3, проводят локальную диффузию бора в тех местах, над которыми в дальнейшем образуются области р-типа. Во время наращивания эпитаксиального n - слоя ( удельное сопротивление около 10 Ом см, толщина 1 4 мкм) и последующего прогревания бор из подложки диффундирует в эпитаксиальный слой, в результате чего образуются базовая и инжекторная / 7-области. Последующая локальная диффузия бора через маску из диоксида кремния формирует р - области инжектора и пассивной базы переключательного транзистора. Затем последовательно создают диоды Шотки типа VD1 ( металл Ml) к коллекторной области и диод Шотки типа VD2 ( металл М2) к базовой области. [55]
Для переключения и других процессов в технике СВЧ в последнее время начинают применяться диоды Шотки, или диоды на горячих носителях. В этих диодах, используется контакт между металлом и полупроводником. Потенциальный барьер, образующийся в таком контакте, в свое время был исследован немецким физиком В. Диод Шотки представляет собой низко-омную полупроводниковую подложку ( например, кремний типа п) с высоким содержанием донорной примеси, покрытую сверху тонкой пленкой того же, но уже высокоомного полупроводника, на которую нанесен металлический слой. Прямое внешнее напряжение прикладывается плюсом к металлу, и почти все оно действует в высокоомной пленке. Электроны в ней разгоняются до большой скорости ( становятся горячими), преодолевают потенциальный барьер и попадают в металл. Поэтому диоды Шотки обладают большим быстродействием, зависящим только от времени пробега электронов через высокоомную пленку ( менее 10 п с) и от барьерной емкости, которая при малой площади контакта может быть сделана очень малой. В результате этого диоды Шотки могут работать на частотах до 15 - 20 ГГц и время переключения у них составляет десятые и даже сотые доли наносекунды. Обратный ток у этих диодов очень мал. [56]
В качестве ПРР в основном применяют быстродействующие цифровые мультиплексоры на основе планарно-эпитаксиальной технологии с диодами Шотки. Такой мультиплексор имеет три информационных входа с небольшой входной емкостью, один информационный выход сигналов с ТТЛ-уровнями и управляющие входы, к которым предъявляются менее жесткие требования в части входной емкости, сопротивления и токов утечки. [57]
В качестве ПРР в основном применяют быстродействующие цифровые мультиплексоры на основе планарно-эпитаксиальной технологии с диодами Шотки. Такой мультиплексор имеет три информационных входа с небольшой входной емкостью, один информационный выход сигналов с ТТЛ-уровнями и управляющие входы, к которым предъявляются менее жесткие требования в части входной емкости, сопротивления и токов утечки. Представляет интерес использование в ПРР маломощных микросхем типа КР590КН7, которые обеспечивают емкость входов 1 - 3 не более 20 пФ, выхода - 50 пФ и время включения в другое положение не более 90 не. [58]
 |
Варианты схем диодного включения транзисторных элементов. [59] |
При напряжении на коллекторном переходе, соответствующем активному режиму или режиму отсечки транзисторного элемента, Диод Шотки находится под напряжением обратного смещения и не влияет на работу элемента. При смене полярности напряжения на коллекторном переходе диод Шотки открывается раньше коллекторного перехода и, шунтируя его, предотвращает накопление неосновных носителей заряда в базе, что повышает быстродействие транзисторного элемента. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5