Диод - шотка
Cтраница 2
Следует также отметить диод Шотки, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного ( малым количеством примесей) слоя полупроводника; диод Гана, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Оба типа диодов предназначены для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний. По сравнению с точечным диодом диод Шотки имеет более крутую ВАХ в области малых напряжений в прямом направлении, значительно меньший обратный ток, меньший разброс параметров, большую надежность и высокую устойчивость к ударам, широко используется в быстродействующих микросхемах. [16]
Следует также отметить диод Шотки, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного ( малым количеством примесей) слоя полупроводника; диод Гана, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Диоды обоих типов предназначены для генерирования и усиления сверхвысокочастотных колебаний. По сравнению с точечным диодом диод Шотки имеет более крутую ВАХ в области малых напряжений в прямом направлении, значительно меньший обратный ток, меньший разброс параметров, большую надежность и высокую устойчивость к ударам. Диод Шотки широко используют в быстродействующих микросхемах. [17]
По принципу действия диоды Шотки существенно отличаются от диодов, работа которых основана на свойствах электроннодырочного ( р-п) - перехода. В диодах Шотки накопления неосновных носителей не происходит, так как перенос тока в них обусловлен переходом ( эмиссией) основных носителей из полупроводника в металл. Благодаря этому их время выключения очень мало ( до 100 пс) и не зависит от температуры. Для р-д-переходов это время составляет 1 - 100 нс. [18]
 |
Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой. [19] |
На частотные свойства диодов Шотки основное влияние должно оказывать время перезарядки барьерной емкости перехода. [20]
 |
Структурная схема БИС ППЗУ емкостью 16 К бит ( М - мультиплексор. Б - выходной буфер. [21] |
ЗЭ состоит из диодов Шотки и нихромовой пережигаемой перемычки. До записи информации перемычки целые и во всем накопителе хранится информация О. Программирование 1 осуществляется пережиганием нихромовых перемычек импульсом тока амплитудой 30 - 50 мА путем подачи электрических сигналов на внешние выводы БИС. [22]
 |
Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой. [23] |
На частотные свойства диодов Шотки основное влияние должно оказывать время перезарядки барьерной емкости перехода. [24]
Структура транзистора с диодом Шотки ( ДШ), изготовленного по изопланарной технологии, показана на рис. 3.8, а. В отличие от изо-планарного транзистора ( см. рис. 3.5, д) здесь базовое контактное отверстие расширено в сторону коллекторной области / г-типа. [25]
Маломощные микросхемы с диодами Шотки особенно чувствительны к наводкам, и их по возможности следует отделять от других быстродействующих элементов. Здесь рекомендуется применять раздельное питание и заземление; входные сигнальные линии маломощных серий также должны быть разнесены с выходными линиями быстродействующих. [26]
Биполярные ИС с диодами Шотки / В. В. Баранов, Т. Я. Мамедов, А. А. Орликовский и др. / / 3арубежная электронная техника. [27]
Следовательно, в диодах Шотки отсутствует процесс накопления и рассасывания неосновных носителей в базе. В силу этого такие диоды имеют лучшие частотные свойства по сравнению с диодами с р-п переходом. [28]
 |
Схема простейшего дифференциального усилительного каскада. [29] |
Логические элементы ТТЛ с диодами Шотки ( ТТЛШ) построены на основе того же схемотехнического принципа, что и элементы ТТЛ. Отличие элемента ТТЛШ от ТТЛ состоит в том, что в транзисторах ТТЛШ между базой и коллектором включен диод Шотки, ограничивающий насыщение транзистора, что обеспечивает более высокое быстродействие логических элементов ТТЛШ и их меньшее энергопотребление. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5