Cтраница 5
Кроме того, используются диоды на основе р-п переходов и переходов металл - полупроводник ( диоды Шотки), полупроводниковые резисторы, пленочные резисторы ( в совмещенных микросхемах), изготавливаемые, например, в поликристаллическом слое кремния, и в редких случаях - конденсаторы небольшой емкости. Другие элементы формируются в аналогичных слоях одновременно с транзисторами. Использование пассивных элементов ( резисторов, конденсаторов) ограничено, так как по сравнению с транзисторами они занимают большую площадь на кристалле. [61]