Диод - шотка
Cтраница 3
Изготовление интегрального транзистора с диодом Шотки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия диоксида кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии диоксида кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения p - n - перехода коллектора некрнтролируемыми примесями. [32]
Изготовление интегрального транзистора с диодом Шотки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия диоксида кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии диоксида кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения p - n - перехода коллектора неконтролируемыми примесями. [34]
 |
Базовый элемент маломощных микросхем ТТЛШ. а - принципиальная схема. б - передаточные характеристики. [35] |
В маломощных микросхемах ТТЛ с диодами Шотки сочетаются высокое быстродействие с умеренным потреблением мощности: при одинаковом с универсальным элементом ТТЛ быстродействии потребляемая здесь мощность в пять раз меньше. [36]
Наибольшие преимущества перед диодами с р-п-переходом диоды Шотки должны иметь при выпрямлении больших токов высокой частоты. Здесь кроме лучших частотных свойств диодов Шотки следует отметить такие их особенности: меньшее прямое напряжение из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных носителей заряда полупроводника; большая максимально допустимая плотность прямого тока, что связано, во-первых, с меньшим прямым напряжением и, во-вторых, с хорошим теплоотводом от выпрямляющего перехода Шотки. Действительно, металлический слой, находящийся с одной стороны перехода Шотки, по своей теплопроводности превосходит любой сильнолегированный слой полупроводника. По этим же причинам выпрямительные диоды Шотки должны выдерживать значительно большие перегрузки по току по сравнению с аналогичными диодами с p - n - переходом на основе того же самого полупроводникового материала. [37]
Наибольшие преимущества перед диодами с р-п-переходом диоды Шотки должны иметь при выпрямлении больших токов высокой частоты. Здесь кроме лучших частотных свойств диодов Шотки следует отметить такие их особенности: меньшее прямое напряжение из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных носителей заряда полупроводника; большая максимально допустимая плотность прямого тока, что связано, во-первых, с меньшим прямым напряжением и, во-вторых, с хорошим теплоотводом от выпрямляющего перехода Шотки. Действительно, металлический слой, находящийся с одной стороны перехода Шотки, по своей теплопроводности превосходит любой сильнолегированный слой полупроводника. По этим же причинам выпрямительные диоды Шотки должны выдерживать значительно большие перегрузки по току по сравнению с аналогичными диодами с р - / г-переходом на основе того же самого полупроводникового материала. [38]
 |
Интегральный полупроводниковый смеситель. [39] |
Другим примером интегральных схем смесителей являются многоконтактные диоды Шотки, скомпонованные с миниатюрной рамочной антенной. [40]
 |
Схема базового элемента ЗСТЛ 155 - й серии. [41] |
Наиболее перспективными являются схемы элементов с диодами Шотки ( К530, К531), которые по быстродействию приближаются к ЭСТЛ, а по структуре не отличаются от элементов 155 - й серии. [42]
Все перечисленные серии ИС основаны на использовании диодов Шотки ( рис. 5.3 о), предотвращающих режим глубокого насыщения транзисторов, что значительно увеличивает их скорость переключения. На рис. 5.3 6 показано условное графическое обозначение транзистора с диодом Шотки, называемого транзистором Шотки. В, поэтому их использование не оказывает существенного влияния на уровень VQL выходного сигнала. [43]
В отличие от технологии обычных маломощных микросхем с диодами Шотки ( LS) технология схем ALS отличается применением ионной имплантации примесей вместо диффузии. Это дает возможность осуществлять точный контроль над глубиной легирования и разрешающей способностью. [44]
Для повышения быстродействия между базой и коллектором VT2 включают диод Шотки. Как известно, максимальная частота переключения транзистора ограничивается в основном временем рассасывания накопленных зарядов. Для повышения максимальной частоты переключения необходимо предотвратить насыщение транзистора и этим исключить накопление заряда. Включение диода Шотки параллельно переходу база - коллектор транзистора приводит к возникновению ООС по напряжению и препятствует снижению напряжения между коллектором и эмиттером ниже 0 3 В. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5