Обычный полупроводниковый диод

Cтраница 1

Параметрический одноконтурный усилитель сантиметрового диапазона. 1 - сигнальный волновод. 2 - волновод на. [1]

Обычные полупроводниковые диоды имеют низкую критич. [2]

Постоянная и переменная составляющие выпрямленного напряжения. [3]

Для обычных полупроводниковых диодов прямое напряжение бывает не более 1 - 2 В. [4]

Фотодиоды, как и обычные полупроводниковые диоды, имеют один р - л-переход. [5]

Сравнивая туннельные полупроводниковые диоды с обычными полупроводниковыми диодами и транзисторами, можно сделать вывод, что туннельный диод похож на выпрямительный диод тем, что имеет два вывода, а на транзистор тем, что его можно использовать для усиления и генерации колебаний. [6]

Основное преимущество туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и транзисторами заключается в его большом быстродействии, обусловленном высоким частотным пределом. Это связано с его двумя особенностями. Во-первых, переход электрона через потенциальный барьер осуществляется за время около 10 - 13 с, определяемое скоростью распространения электрического поля в полупроводнике, вследствие чего процесс туннелирования не зависит от температуры. [7]

Туннельный диод. [8]

ОА значительно больше, чем у обычных полупроводниковых диодов, так как в туннелях при прямом включении туннельного диода устанавливается электрическое поле, направленное встречно полю барьера, и через туннели сразу же начинается дрейф носителей зарядов, а не диффузия, как в обычных диодах. [9]

В туннель ном диоде в отличие от обычных полупроводниковых диодов применяется кристалл с очень большим содержанием примесей и очень тонким ( порядка 10 - 6 см) переходом. В таком тонком переходе уже при небольших прямых напряжениях возникает значительная напряженность электрического поля. При этом некоторые электроны могут просачиваться сквозь энергетический барьер или, как говорят, проходить туннельным эффектом. [10]

Полупроводниковые лазеры имеют вольт-амперную характеристику, типичную для обычных полупроводниковых диодов. [11]

Устройство вентильного кой Решетки и превратиться из свя-и селенового фотоэлементов. занных В полусвободные. Вследствие. [12]

В технике находят широкое применение фотодиоды, которые представляют собой обычные полупроводниковые диоды, работающие в режиме обратного смещения и имеющие в корпусе отверстие, закрытое стеклом для пропускания света на р-л-переход. [13]

Вольт-амперная характеристика стабилитрона. [14]

Вольт-амперная характеристика стабилитрона ( рис. 2 - 33) аналогична характеристике обычного полупроводникового диода. Отличие состоит лишь в том, что пробой обратным напряжением не приводит к разрушению прибора, а является нормальным рабочим режимом. Если обратное напряжение, приложенное к стабилитрону, меньше напряжения стабилизации t / CT, то сопротивление диода велико и ток по его цепи не протекает. При больших значениях напряжения через стабилитрон будет протекать ток, определяемый сопротивлением внешней цепи и разницей между приложенным напряжением и напряжением стабилизации. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5