Обычный полупроводниковый диод

Cтраница 4

Под действием прямого приложенного напряжения два крайних из них открыты, а средний - закрыт. Под действием управляющего тока средний p - n - переход открывается и тиристор в прямом направлении проводит электрический ток как обычный полупроводниковый диод. При смене полярности приложенного к тиристору напряжения первоначальное ( закрытое) состояние среднего p - n - перехода восстанавливается и протекание тока в цепи тиристора прекращается. Изменяя управляющий ток, можно менять момент открывания тиристора во времени, а следовательно, изменять выпрямленный ток и напряжение на нагрузке. [46]

Схематические изображения переключающих полупроводниковых приборов. [47]

Еще одно название тиристоров - транзистор с коллекторной ловушкой - происходит из рассмотрения принципа действия прибора. В области обратных потенциалов ( области 4 относительно области /, см. рис. 421) тиристоры ведут себя так же, как обычные полупроводниковые диоды при обратных потенциалах, и характеризуются максимальным обратным напряжением п, обр и величиной обратного тока / сср. [48]

Благодаря чрезвычайно высокому быстродействию туннельных диодов применение их открывает широкие возможности в технике генерирования и усиления сигналов ОВЧ, а также в наносекундной импульсной технике. Хотя практическое применение туннельных диодов осложняется рядом специфических проблем ( таких, как смешение входного и выходного сигналов вследствие двухполюсной природы туннельного диода и отсутствия ( раздельных цепей входа и выхода, низкий уровень напряжения, затрудняющий согласование туннельных диодов с обычными полупроводниковыми диодами и триодами), туннельные диоды следует считать весьма перспективными новыми элементами радиоэлектронной аппаратуры. [49]

Благодаря чрезвычайно высокому быстродействию туннельных диодов применение их открывает широкие возможности в технике генерирования и усиления сигналов СВЧ, а также в наносекундной импульсной технике. Хотя практическое применение туннельных диодов осложняется рядом специфических проблем ( таких, как смешение входного и выходного сигналов вследствие двухполюсной природы туннельного диода и отсутствия раздельных цепей входа и выхода, низкий уровень напряжения -, затрудняющий согласование туннельных диодов с обычными полупроводниковыми диодами и триодами), туннельные диоды следует считать весьма перспективными новыми элементами радиоэлектронной аппаратуры. [50]

В основном ток обеспечивается дырками. Неосвещенный фотодиод функционально ничем не отличается от обычного полупроводникового диода. [51]

В последние годы были разработаны полупроводниковые приборы - кремниевые диоды для стабилизации постоянных напряжений. На рис. 37 приведена примерная вольтамперная характеристика кремниевого диода Д813, которая в области положительных напряжений ( в проводящем направлении) и при небольших отрицательных напряжениях ничем не отличается от характеристик обычных полупроводниковых диодов. [52]

Есаки туннельный диод изготовляется из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примесей ( 1019 - 1020 см 3), т.е. с очень малым удельным сопротивлением, в сотни или тысячи раз меньшим, чем в обычных диодах. Такие полупроводники с малым сопротивлением называют вырожденными. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике получается в десятки раз тоньше ( 10 6 см), чем в обычных диодах, а потенциальный барьер примерно в два раза выше. В обычных полупроводниковых диодах высота потенциального барьера равна примерно половине ширины запрещенной зоны, а в туннельных диодах она несколько больше этой ширины. [53]

Фотодиод предназначен для преобразования световой энергии в электрическую. Внутренний фотоэффект заключается в том, что под действием энергии светового излучения в области p - n - перехода происходит ионизация атомов основного вещества и примеси, в результате чего генерируются пары носителей заряда - электрон и дырка. Промышленность выпускает фотодиоды на основе германия, кремния, арсенида галлия, сернистого серебра. Конструктивно фотодиоды, как и обычные полупроводниковые диоды, состоят из двух слоев полупроводника с электро-проводностями разных типов. На границе между этими слоями создается p - n - переход. В конструкции фотодиодов предусматривается возможность попадания светового потока в область р-п-перехода. [54]

Поскольку тиристор проводит ток лишь в одном направлении, то для двухполупериодной работы необходимо встречно-параллельное включение двух тиристоров, при соответствующем включении управляющих цепей. При открытии тиристора такой скачок возникает, когда прямое смещающее напряжение становится равным напряжению пробоя его р-п-перехода. Обратный импульс тока, возникающий при закрытии прибора, так же как и в обычных полупроводниковых диодах, обусловлен рассасыванием неосновных носителей в р - - переходах. [55]

Принцип работы транзистора. [56]

Из рис. 21 видно, что к эмиттерному P - jV - переходу приложено прямое ( эмиттер-ное) напряжение L / э, а к коллекторному переходу - обратное ( коллекторное) напряжение UK. При разомкнутом положении ключа S / и замкнутом положении ключей 52 и S3 по цепи ( UK) - S2 - РтА2 - ( переход Б - К) - РтАЗ - S3 - - ( - t / к) пройдет незначительный обратный ток, вызванный направленным движением неосновных носителей тока - дырок из базы и электронов из коллектора. Из этого видно, что участки эмиттер - база и база - коллектор ведут себя как обычные полупроводниковые диоды. [57]

Принципиальная схема автоколебательного генератора на туннельном диоде Д показана на рис. 7.7. Туннельный диод является быстродействующим полупроводниковым переключающим прибором, работа которого основана на принципе туннельного эффекта. При малых ( до 0 2 - 0 3 В) напряжениях ток диода увеличивается из-за наличия не только диффузионной, но и туннельной составляющей. Эта составляющая обусловливает максимум тока при малых напряжениях в области отсечки в. После затухания туннельной составляющей ток диода определяется одной диффузионной составляющей и оказывается сначала меньше пикового, а затем, по мере роста прямого напряжения, нарастает так же, как прямой ток обычного полупроводникового диода. [58]

Регенеративное усиление обусловлено отрицательным активным сопротивлением, которое вносится в колебательную цепь усилителя сигналов. В результате активные потери в контуре уменьшаются, добротность колебательной системы возрастает и таким образом обеспечивается значительное усиление. Понятие отрицательного входного сопротивления уже встречалось при рассмотрении вопро-еа об устойчивости резонансного усилителя ( § 3.6), однако в том случае появление отрицательного сопротивления было обусловлено положительной обратной связью. В усилителе на ТД регенерация обусловлена особенностью вольт-амперных характеристик ТД, которая отличается от характеристики обычного полупроводникового диода наличием падающего участка ( фиг. [59]

Основной тип полупроводникового триода представляет собой кристалл полупроводника, разделенный на три области с поочередно меняющимися типами проводимости. Иначе говоря, триод состоит из двух р - - переходов, причем одна область ( р или п) является общей. Пусть теперь на левый контакт ( рис. 4.5, в) подан ( относительно среднего) небольшой положительный потенциал, составляющий обычно доли вольта, а на правый - большей отрицательный, порядка единиц или десятков вольт. При этом потенциальный барьер между левой и средней областями понижается, а между правой и средней - повышается. Тек как р - п-переход между левым и средним контактами включен в прямом направлении, то его ток складывается из дырочного и электронного токов, как в обычном полупроводниковом диоде. Из левой области р в среднюю происходит инжекция дырок, а из средней - области в левую - электронов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5