Cтраница 5
В этой трехслойной структуре теллур и сульфат кадмия, являющийся полупроводником с широкой запрещенной зоной, образует п-р-переход. Наличие п-р-перехода приводит к тому, что электроны в диоде могут двигаться в одном направлении - из индия в сульфат кадмия, затем на анод, в пленку теллура. Переход в обратном направлении затруднен полем п-р-перехода. Работа инжекцион-ного диода напоминает работу полупроводникового и вакуумного электронного диодов. Действительно, электроны инжектируются в высокоомный полупроводник, в котором чрезвычайно мало свободных электронов и ионов, так что ничто не препятствует их прохождению к аноду. При этом движущиеся электроны создают область пространственного заряда, как и в вакуумном диоде, вследствие чего их анодные вольт-амперные характеристики почти тождественны. В то же время для получения односторонней проводимости используется п-р-переход, как и в обычном полупроводниковом диоде. [61]