Обычный полупроводниковый диод

Cтраница 3

Амплитуда управляющего импульса не должна быть больше значения / ус, называемого током спрямления, так как при / у / Ус вольт-амперная характеристика тринистора подобна характеристике обычного полупроводникового диода, в которой отсутствует участок отрицательного сопротивления. [31]

Амплитуда управляющего импульса не должна быть больше значения / ус, называемого током спрямления, так как при / у / ус вольт-амперная характеристика тринистора подобна характеристике обычного полупроводникового диода, в которой отсутствует участок отрицательного сопротивления. [32]

Как и обычные полупроводниковые диоды, кремниевые стабилитроны в зависимости от величины и полярности приложенного к ним напряжения могут иметь большое или малое сопротивление. Это позволяет использовать кремниевые диоды в переключающих и релейных схемах. [33]

В любой ЭВМ используется большое количество электронных элементов. Многие тысячи обычных полупроводниковых диодов и транзисторов, не говоря уже об электронных лампах, входившие в состав схем вычислительных устройств ЭВМ второго поколения, занимали сравнительно много места, их монтаж был очень трудоемок и не очень надежен. К концу 50 - х годов создалась кризисная ситуация: дальнейшее усложнение электронных схем вошло в противоречие с их надежностью, энергоемкостью, стоимостью и местом, необходимым для их размещения. Найденный выход в значительной мере был подсказан практикой, совершенствованием технологии производства транзисторов - самых массовых элементов электроники. [34]

Вы правильно считаете, что если фотоэлемент включить в прямом направлении, то величина тока не будет определяться освещенностью фотоэлемента. В этом случае мы получим обычный полупроводниковый диод, включенный в прямом направлении. Как следует из § 3.1, ток при таком включении определяется собственным сопротивлением полупроводника, а не действием запирающего слоя. Так как световой поток воздействует на полупроводник вблизи запирающего слоя, то ток не будет зависеть от освещенности фотоэлемента. [35]

Двухбазопый диод. [36]

HI) аналогична характеристике р-п-перехода обычного полупроводникового диода. [37]

Схема однотактного преобразователя сдвига.| Схема двухтактного преобразователя. [38]

В современных передатчиках радиорелейной аппаратуры на транзисторах в качестве мощных смесителей применяются параметрические диоды - варакторы. Зти диоды, в отличие от обычных полупроводниковых диодов, принципиально дозволяют получить усиление модулированного сигнала при преобразовании частоты. [39]

Чувствительность фотодиода по току одинакова для обоих режимов работы. Для затемненного фотодиода в диодном режиме ВАХ похожа на несимметричную ВАХ обычного полупроводникового диода и проходит через начало координат. При облучении поток излучения управляет изменением обратного тока, который протекает через диод и нагрузку и создает на ней падение напряжения - выходной электрический сигнал. При малых освещенностях фототок находится в линейной зависимости от излучения. [40]

Под действием прямого приложенного напряжения два крайних из них открыты, а средний - закрыт. Под действием управляющего тока средний р-п-пе-реход открывается и тиристор в прямом направлении проводит электрический ток как обычный полупроводниковый диод. При смене полярности приложенного к тиристору напряжения первоначальное ( закрытое) состояние среднего / 7-и-перехода восстанавливается и протекание тока в цепи тиристора прекращается. [41]

Двухбазовый диод. [42]

При Ыб - б 0 вольт-амперная характеристика двухбазового диода it ( iii) аналогична характеристике р-п-перехода обычного полупроводникового диода. [43]

Двухбазовый диод. [44]

При о-б 0 вольт-амперная характеристика двухбазового диода it ( i) аналогична характеристике p - n - перехода обычного полупроводникового диода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5