Обычный полупроводниковый диод

Cтраница 2

Условие W Wf выполняется для большинства разумных степеней легирования материала в обычных полупроводниковых диодах и транзисторах. [16]

Туннельные диоды могут работать в более широком интервале рабочих температур, чем обычные полупроводниковые диоды ( до 200 С германиевые; до 400 С - кремниевые; до 600 С - арсенид-галлие-вые) и при более высоких уровнях радиации. Это объясняется тем, что туннельный ток практически не зависит от температуры и радиации. [17]

Туннельные диоды могут работать в более широком интервале рабочих температур, чем обычные полупроводниковые диоды ( до - f - 200 C германиевые; до 400 С - кремниевые; до 600 С - арсенид-галлие-вые) и при более высоких уровнях радиации. Это объясняется тем, что туннельный ток практически не зависит от температуры и радиации. [18]

К фототранзисторам относят полупроводниковые фотодиоды и фототриоды, которые конструктивно отличаются от обычных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов лишь тем, что у них в корпусе имеется окно, пропускающее световой поток и фокусирующее его в области п-р-перехода. Фототранзисторы включаются в электрическую цепь также, как и биполярные транзисторы: на них подается напряжение питания в полярности - обратной на коллектор, прямой - на эмиттер. [19]

Схема плоскостного германиевого фотодиода. [20]

Другой тип германиевых фотодиодов показан на рис. 26.21. Он состоит, как и обычный полупроводниковый диод, из полупроводников ( например, того же германия) двух типов проводимости. Образующийся на границе р-л-переход при подаче положительного потенциала со стороны германия я-типа препятствует свободному прохождению тока. При освещении узкой области р - n - перехода в германии / г-типа образуются пары и дырки диффундируют через р - n - переход, вызывая возрастание тока. [21]

Туннельный диод, как известно, имеет вольтамперную характеристику, отличающуюся от характеристики обычного полупроводникового диода наличием падающего участка ( фиг. [22]

Шумовое напряжение фотодиодов и фототранзисторов обусловлено теми же причинами, что и шумовое напряжение обычных полупроводниковых диодов и транзисторов. Дополнительный источник шума в фотодиодах и фототранзисторах возникает при наличии постоянной засветки за счет фотонной флюктуации. [23]

Несмотря на то, что каждый из переходов транзистора ведет себя в отдельности так же, как обычный полупроводниковый диод, было бы ошибкой представлять себе транзистор как простую совокупность двух диодов. [24]

Вольт-амперные характеристики фотодиода при различных значениях светового потока. [25]

Кривая, проходящая через начало координат, соответствует вольт-амперной характеристике фотодиода при отсутствии освещения и ничем не отличается от обычного полупроводникового диода. Эту характеристику называют тем новой вольт-амперной характеристикой. [26]

Поскольку ток в этих приборах создается основными носителями заряда, обращенные диоды могут работать на более высоких частотах, чем обычные полупроводниковые диоды. [27]

Усиление электрических сигналов с помощью. [28]

Несмотря на то что туннельные диоды представляют собой полупроводниковые приборы, вследствие иного механизма движения носителей зарядов их свойства сильно отличаются от свойств обычных полупроводниковых диодов и триодов. [29]

Амплитуда управляющего импульса не должна быть больше значения / ус, называемого током спрямления, так как при / у / ус вольт-амперная характеристика тринистора подобна характеристике обычного полупроводникового диода, в которой отсутствует участок отрицательного сопротивления. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5