Базовый слой

Cтраница 1

Базовый слой такого транзистора создается путем диффузии примесей из газовой, жидкой или твердой среды. [1]

Базовый слой имеет очень малую толщину ( 1 - 25 мкм), вследствие чего инжектированные в него носители зарядов достигают коллекторного перехода с меньшими потерями из-за рекомбинации. [2]

Характеристики эмиттер-база для германиевого триода с широкой областью базы. [3]

Широкий базовый слой с выводом, расположенным около коллектора ( рис. 2 и 3), может рассматриваться как состоящий из трех областей. Первая область, прилегающая к эмиттеру, имеет высокую концентрацию инжектированных носителей. Ширина этой области очень мала, и перемещение носителей происходит главным образом путем диффузии. Вторая область простирается от края первой до базового электрода. Напряженность электрического поля в этой области достаточна велика, и часть инжектированных носителей, попавших сюда из области /, достигает соседнего электрода еще до рекомбинации. Третья область расположена между базовым электродом и коллекторным переходом. [4]

Схематическое изображение дрейфового транзистора, изготовленного методом вплавления - диффузии. [5]

Базовый слой я-типа, образовавшийся за счет диффузии из расплава, объединяется со слоем л-типа исходной пластины. [6]

Толщина базового слоя, разделяющего эмиттерный и коллекторный переходы, на рисунке значительно преувеличена. У современных приборов толщина базы имеет порядок единиц микрометров. Кроме того, концентрацию легирующей примеси базы делают на два-три порядка меньше концентрации примесей в эмиттерной и коллекторной областях. [7]

Ширина базового слоя определяется разницей скоростей проникновения сурьмы и галлия и поэтому мало зависит от глубины плавления этих примесей. На рис. 2.17, в схематически показано устройство транзистора, изготовленного диффузионным способом. Точками показаны атомы донорной примеси в базе. В Советском Союзе этим методом изготовляют триоды П401, П402 и П403 ( рис. 2.17, г), которые могут работать соответственно до частот 30, 60 и 120 Мгц. Для обеспечения хорошего теплоотвода коллекторный электрод расположен близко к выводу 5 триода. [8]

Толщину базового слоя, где перенос носителей тока происходит диффузионным путем, удается сделать не на много меньшей, чем у сплавных триодов. [9]

Поскольку толщина базового слоя может быть сделана равной от 50 до 100 мкм, граничная частота сплавных транзисторов fgl / T6 сравнительно невысока и составляет несколько мегагерц. [10]

Тиристор прямоугольной формы. [11]

Однако сопротивление базового слоя р2 всегда имеет отличное от нуля значение. Вследствие этого тока / G не распределяется равномерно по всей площади тиристора, а локализуется вблизи границы базового вывода. Именно это является причиной локального включения, тиристора по управляющему электроду. [12]

Продольное сопротивление базового слоя Rsa полагаем равным типичному значению 10000 Ом / кв для кремниевых дрейфовых транзисторов и бст 50, Тр. [13]

Поверхностным слоем является диффузионный базовый слой под эмиттером. [14]

Поток дырок в базовый слой Pz, пропорциональный току / я / 2, повышает потенциал этого слоя и тем самым приводит к смещению эмиттерного перехода / з в прямом направлении. Таким образом, в базовый слой п помимо потока электронов, пропорционального току / д / 2, поступает дополнительный поток электронов, пропорциональный коллекторному току п-р - п транзистора. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5