Базовый слой

Cтраница 3

Аналогично поток электронов, поступающий в базовый слой MI, понижает потенциал этого слоя и приводит к смещению перехода j в прямом направлении. При этом из эмиттерного слоя р в базовый слой п инжектируются дырки, часть которых достигает коллекторного перехода и перебрасывается электрическим полем этого перехода в базовый слой рч. [31]

Статическая вольт-амперная характеристика идеализированного плоскостного диода. [32]

Здесь для определенности введены индексы для базового слоя и для рабочих носителей - дырок. [33]

В результате поисков новых способов получения базового слоя малой толщины были разработаны диффузионные методы получения электронно-дырочных переходов. Сущность диффузионного метода состоит в том, что на поверхности пластинки германия р-типа плавится некоторое количество германия, содержащего две примеси, например 1 % сурьмы и 2 % галлия. При нагревании сурьма диффундирует быстрее галлия, так как ее коэффициент диффузии примерно в сто раз больше. Примесь галлия хорошо растворяется в германии, сохраняя р-проводимость и образуя эмиттерный слой. Примесь сурьмы проникает в глубь германия, образуя тонкий слой базы. [34]

Четырехслойная структура с резкими р-п переходами.| Распределение неравновесных дырок в базе п я электронов в базе р - 2 четырехслой-ной структуры при низких уровнях инжекции. [35]

Распределение неравновесных концентраций неосновных носителей в базовых слоях структуры имеет при этом вид, представленный на рис. 7.18. Штрихпунктирными линиями на этом рисунке выделены области объемных зарядов электронно-дырочных переходов. Толщины этих областей пренебрежимо малы по сравнению с толщинами соответствующих базовых и эмиттерных слоев структуры. [36]

В сплошных сканисторах наибольшим временем жизни обладает базовый слой, менее легированный по сравнению с - внешними слоями, так что в сканисторах Si ( Аи) т - 10 - - 7 сек, что обеспечивает разрешающую способность во времени порядка 107 опрос / сек. [37]

Распределения неравновесных носителей в базах структуры. [38]

При подаче импульса выключающего тока управления в базовый слой ( момент t0, рис. 4 - 2, а) эмиттерный переход j из-за высокой концентрации избыточных носителей заряда в р-базе в первый момент времени практически не представляет собой сопротивления. Амплитуда импульса тока / у определяется только внешним сопротивлением цепи и напряжением управления. [39]

Статическая вольт-амперная характеристика идеализированного плоскостного диода. [40]

Здесь для определенности введены индексы п для базового слоя и р для рабочих носителей - дырок. [41]

Двухэмиттерный транзистор в элементе памяти. [42]

Таким образом, благодаря соответствующему выбору сопротивления базового слоя (5.3) ток инжекции коллекторного р - - перехода оттесняется к областям / / - под эмиттером 2 и / - под коллекторным контактом. [43]

Этот ток образуется дырками, диффундирующими из базового слоя п к краю области объемного заряда коллектора, и электронами, диффундирующими из коллекторной области р2 внутрь слоя объемного заряда. В этом слое они вместе с электронами, образующимися в обедненной области, увлекаются электрическим полем внутрь базовой области. [44]

Обозначим, VH перемещения точек срединной поверхности базового слоя. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5