Базовый слой

Cтраница 4

Температурная кривая зависит or концентрации примесей в базовом слое. Коэффициент а, а также Р растет при нагреве транзистора и уменьшается при его охлаждении. Температурная связь коэффициентов аир близка к линейной и в диапазоне от - 60 до 60 С кратности изменения составляет примерно два. [46]

Известно, что встроенные электрические поля в базовых слоях многослойных структур, обусловленные диффузионными профилями атомов примесей, изменяют скорости переходных процессов при переключениях структур. В большинстве случаев тиристоры, выключаемые током управления, изготавливаются диффузионным методом, и поэтому по крайней мере в одной из баз ( чаще всего в р-базе) имеет место градиент атомов примеси. [47]

Зависимость напряжения пробоя эмиттерного перехода ( кривые 1 и 2 и предельно допустимого тока управления (. и 2 от удельного сопротивления базы. [48]

Необходимо заметить, что в большинстве реальных приборов базовый слой ( обычно р-типа) изготавливается методом диффузии и концентрация атомов примеси в нем, в отличие от рассмотренного выше случая, уменьшается с удалением от поверхности в глубь кристалла полупроводника. Сопротивление базового слоя RQ в этом случае зависит от глубины эмиттерного и коллекторного переходов. [49]

Для формирования диффузионных слоев - анодного слоя р базового слоя pz и катодного слоя п2 - используются обычно те же примеси, что и для силовых диодов, а именно: алюминий и бор ( или галлий) для формирования слоев с дырочной электропроводностью и фосфор для формирования слоя с электронной электропроводностью. [50]

На скорость травления влияют также колебания удельного сопротивления базового слоя, степень совершенства кристаллической решетки германия и его ориентация. Эти факторы являются второстепенными и могут быть скомпенсированы регулированием травильного состава. [51]

Распределение плотности тока во включенной п-р-п-р - п структуре с перекрытием эмиттерных областей. [52]

Это означает, что часть тока выключения протекает вдоль базового слоя р2, смещая р-п переход / 4 в прямом направлении. [53]

Смещение р-п-р-п структуры в прямом направлении ( а и ее транзисторная модель ( б. [54]

Видно, что слой п четырехслойной структуры является одновременно базовым слоем р-п - р транзистора и коллекторным слоем п-р - п транзистора. [55]

Избыточные концентрации неравновесных носителей заряда, накопленных в базовых слоях под воздействием этих токов, чрезвычайно малы. Из-за технологической шунтировки переходов / 3 избыточные концепт - грации электронов и дырок в базовых слоях рг тиристоров Т и Г2 можно принять равными нулю. В диапазоне температур вплоть до максимально допустимой температуры структур тиристоров обычно выполняется неравенство п, СМг. Поэтому избыточных зарядов электронов и дырок, накопленных в базах тиристоров до момента подачи импульса тока управляющего электрода, недостаточно для компенсации зарядов ионизированных атомов легирующих примесей в областях объемных зарядов их коллекторных переходов. [56]

Примерно такое же электрическое поле возникает и в базовом слое, расположенном под неметаллизированной частью эмиттера. Под действием этого поля дырки в базе р2 и электроны в базе HI движутся в. Эти потоки дырок в базе р2 и электронов в базе HI показаны на рис. 10.4 пунктирными стрелками. Они играют роль токов управляющего электрода для участка тиристора, расположенного под кромкой металлизированной части эмиттера, и приводят к включению второго участка тиристора. [57]

Сечение области первоначального включения тиристора. [58]

Под воздействием тока управляющего электрода / с в базовых слоях тиристора в области первоначального включения накапливается критический заряд неравновесных электронов и дырок. Одновременно возрастают динамические коэффициенты передачи тока составных транзисторов тиристора, и между этими транзисторами устанавливается достаточно сильная положительная обратная связь. Поэтому через некоторое время после подачи импульса тока / с этап задержки включения заканчивается и начинается этап лавинообразного роста анодного тока. При этом анодный ток полностью протекает через область первоначального включения тиристора. [59]

Зависимости критического и вносимого зарядов от напряжения в закрытом состоянии.| Распределение дырок в базе п тиристора в различные моменты времени. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5