Базовый слой

Cтраница 2

Если бы сопротивление базового слоя р2 было нулевым, ток управляющего электрода распределился бы равномерно по всей площади тиристора. Инжекция электронов в базовый слой / 72 происходила бы при этом равномерно по всей площади перехода / 3, и включение тиристора протекало бы одновременно по всей его площади. [16]

В действительности в базовом слое происходит рекомбинация, и для этого процесса необходим подвод электронов. [17]

Одна из них - базовый слой - по-прежнему объединяет большинство россиян, а выделившаяся из него вторая группа стала новым низшим слоем. Деление российского общества на средний, базовый и низший класс является укрупненным делением, и в рамках каждого из этих классов можно выделить минимум по два самостоятельных страта. Средний класс распадается на страты, которые были условно названы состоятельные и обеспечение, базовый - на средне - и малообеспеченных, низший - на бедных и нищих. Эти страты достаточно устойчивы, но относительная динамика их положения различна. [18]

Факторы, определяющие ширину базового слоя. Ввиду большого влияния ширины базового слоя на предельную частоту триода, пробивное напряжение и усиление по току очень важно уметь управлять этим параметром в процессе изготовления приборов. Ширина базового слоя зависит в основном от толщины исходной пластинки, массы вплавляемого материала, площади электродов и температуры вплавления. [19]

Структура пластинки полупроводника р-ти-па после диффузии сурьмы.| Пластина полупроводника после получения эмиттерного и базового вывода.| Меза-конструк-ция транзистора. [20]

Для получения вывода от базового слоя в него вплавляют свинец с примесью сурьмы. Недостатком этой конструкции прибора является значительная емкость коллектора, так как переход база - коллектор имеет достаточно большую площадь. Другой способ использования диффузии для получения транзисторных структур реализован в так называемой меза-конструкции транзистора. На рис. 6 - 51 изображена структура пластинки полупроводника р-типа после диффузии сурьмы или мышьяка, а на рис. 6 - 52 изображена та же пластинка после нанесения методом напыления в вакууме и последующей диффузии слоя эмиттера и слоя базового вывода. Для получения эмиттерного р-слоя используют диффузию алюминия, а для получения вывода базы - диффузию золота с примесью сурьмы. [21]

Зависимость постоянных ра и рь и длительностей этапов переходного процесса выключения t и t2 от параметра поля Я ( Я Я1 Яа.| Распределение концентраций неосновных носителей заряда в базах при наличии полей к концу второго этапа переходного процесса выключения ( ПЕ, р. и разности концентрации в отсутствие и при наличии полей ( Д ге - ПЕ, ( Ьр Р - РЕ. [22]

Во включенной структуре в базовых слоях накоплены избыточные носители заряда. Их концентрация и распределение по объему структуры зависят от плотности анодного тока и от электрофизических свойств слоев. При однородных свойствах слоев по площади и при сравнительно больших плотностях тока структуры включены обычно по всей площади и ток равномерно распределен по структуре. [23]

Внешний ток, поступающий в базовый слой р2, является прямым током управляющего электрода. При определенных условиях он приводит к включению тиристора в открытое состояние. Внешний ток, вытекающий из базы п, также называется прямым. Включение тиристора через базу п тоже происходит при прямом токе управляющего электрода, так как именно при этом в базу п вносятся основные носители заряда - электроны. [24]

Диффузионный резистор. а структура. б эквивалентная схема. [25]

Структура диффузионного резистора на основе базового слоя р-типа приведена на рис. ЗЛба. [26]

Конструкция мультискана с разделенным базовым слоем. [27]

Таким образом, мультискан с разделенным базовым слоем имеет п-р - п элементарные ячейки, а дискретный - р-ге-р-ячейки. [28]

Физические процессы, происходящие в базовом слое n - типа при быстром, по сравнению с временем включения, изменении тока анода прибора, описываются известной системой уравнений, включающей уравнение непрерывности, Пуассона и уравнение плотности тока. [29]

С помощью этих методов можно изготовить базовый слой толщиной 1 - 10 мкм, что в соответствии с уравнением ( 93) дает теоретическое значение граничной частоты около 10 Ггц. Это связано с тем, что по мере приближения рабочей частоты к теоретическому значению предельной частоты базового слоя в игру вступает еще один фактор, снижающий коэффициент усиления, который на низких частотах не играет существенной роли. В зависимости от типа транзистора сопротивление R § составляет от 50 до 400 ом, а емкость Ск - от 10 до 50 пф, что соответствует постоянной времени Т Я6С 0 5 - 10 - 9ч - 20 - 10 - 9 сек. Если период подводимого к транзистору высокочастотного напряжения сравним с этой постоянной времени, то коэффициент усиления быстро падает, поскольку емкость Ск за период колебаний не успевает зарядиться через сопротивление RQ. Это происходит на частотах порядка 1 - 2 Ггц. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5