Базовый слой

Cтраница 5

С ростом анодного напряжения коэффициенты переноса неосновных носителей через базовые слои увеличиваются в результате уменьшения эффективных толщин этих слоев. Учет этого обстоятельства чрезвычайно усложняет расчет du / tW - стойкости тиристоров. [61]

Такие транзисторы изготавливаются из германия га-типа, который является базовым слоем. В лунки, протравленные на этом слое, вводятся акцепторные и донорные примеси. При нагреве до 900 С сплавы переходят в жидкое состояние ( как при сплавной технологии) и одновременно имеет место диффузия примесей в базовый, слой, поэтому транзисторы называются диффузионно-сплавными. [62]

Отсюда ясно, что при низких уровнях инжекции в базовых слоях тиристора преобладает дрейфовый механизм распространения включенного состояния. При высоких же уровнях инжекции в базовых слоях вклады обоих механизмов в процесс распространения включенного состояния являются соизмеримыми. [63]

Температурная зависимость сопротивлений резисторов, сформированных на диффузионных слоях с различными значениями удельного поверхностного сопротивления.| Зависимость номинальных значений сопротивлений диффузионных резисторов, отнесенных к единице длины, от удельного поверхностного сопротивления при различных значениях ширины резистивного элемента. [64]

Как видно из рисунка, структура диффузионного резистора состоит из базового слоя, коллекторного слоя и исходной подложки. [65]

В формулах (2.53) аир - повороты нормали к срединной поверхности базового слоя вокруг осей X и Y соответственно. [66]

Сечение ( а и вид сверху ( 6 типичного диффузионного резистора. [67]

Как видно из рисунка, структура диффузионного резистора состоит из базового слоя, коллекторного слоя и исходной подложки. [68]

Страницы: 1 2 3 4 5