Инверсный слой

Cтраница 1

Инверсный слой приводит как бы к увеличению площади электронно-дырочного перехода и к росту обратных токов. [1]

Зависимость нормированном емкости от на. [2]

Инверсный слой образуется за счет накопления неосновных носителей заряда вблизи поверхности полупроводника, причем этот слой отделен от объема полупроводника обедненном слоем. Концентрация неосновных носителей заряда в инверсюм слое возрастает за счет двух процессов: 1) диффузии неоснозных носителей из объема полупроводника; 2) тепловой генерации носителей заряда в области объемного заряда и через поверхюстные уровни. [3]

Толщина инверсного слоя ( длина Дебая) и концентрация носителей заряда в нем всецело определяются природой полупроводника и величиной приложенного к затвору напряжения. [4]

Часть инверсного слоя, заключенную между областью объемного заряда и поверхностью, называют каналом. Обмен электронами и дырками между р-областыо и инверсным слоем n - типа через область объемного заряда приводит к появлению дополнительного обратного тока, протекающего вдоль канала длиной / в направлении л-области. [5]

Сопротивление инверсного слоя будет пропорционально напряжению, приложенному к переходу. Это объясняется тем, что длина канала возрастает с увеличением приложенного напряжения. [6]

В инверсном слое концентрация носителей также очень сильно ( экспоненциально) зависит от потенциала. Поэтому даже довольно большой заряд, содержащийся в этом слое, сравнительно мало влияет на распределение потенциала. Однако в таком слое может содержаться значительная часть общего заряда электронно-дырочного перехода. Инверсный слой становится тоньше при подаче на электронно-дырочный переход обратного напряжения и при достаточно больших обратных напряжениях полностью исчезает. [7]

Искажения границ / 7-я-перехода под влиянием поверхностного заряда. [8]

При возникновении инверсного слоя увеличивается площадь электронно-дырочного перехода. [9]

Время релаксации инверсного слоя примерно в o / tt раз больше объемного генерационного времени. [10]

Если проводимость инверсного слоя мала, то приложенное к коллектору напряжение распространится на небольшой участок инверсного слоя и уже вблизи коллектора канал оборвется. При малой концентрации дырок в инверсном слое ( считаем, что инверсный слой обладает проводимостью р-типа) концентрация их может существенно уменьшиться под действием поля. [11]

Искажение границ р-л-перехода под влиянием поверхностного. [12]

При возникновении инверсного слоя увеличивается площадь р-я-пе-рехода. [13]

При возникновении инверсного слоя увеличивается площадь р-п-пе-рехода. [14]

Так как толщина инверсного слоя мала по сравнению с толщиной обедненного слоя, то толщина всей области объемного заряда практически равна минимальной толщине обедненного слоя. Значение w ( oo) является максимальным значением о тах, которое может быть достигнуто в квазиравновесных условиях. Его можно вычислить, сформулировав такие условия на поверхности полупроводника, которые осуществляются при w - wma ] i. Обычно считают, что максимальное значение штах соответствует такому условию, когда концентрация неосновных носителей заряда на поверхности становится равной концентрации основных носителей заряда в объеме полупроводника. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5