Инверсный слой

Cтраница 2

Толщина канала ( инверсного слоя) незначительная, дырки индукци-рованного канала сжаты в приповерхностном слое. Дырки, образующие канал, поступают в него не только из подложки, но также из слоев р-типа стока и истока. [16]

Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [17]

Концентрация зарядов в инверсном слое зависит от напряженности электрического поля или от плотности положительного заряда на затворе. [18]

Распределения потенциала, напряженности поля и плотности объемного заряда у поверхности полупроводника при N 1т 100. [19]

Ясно также, что инверсный слой легче образуется в полупроводниках с небольшой шириной запрещенной зоны ( при том же значении потенциала ф), когда разность Эр - Э не может быть очень велика. [20]

Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между металлом и полупроводником при наличии внешнего электрического поля. [21]

При наличии обедненного или инверсного слоя переход Шотки обладает выпрямляющими свойствами, так как внешнее напряжение, падая в основном на высокоомном переходе, будет изменять высоту его потенциального барьера, изменяя условия прохождения носителей заряда через переход. [22]

Структура канала МДП-тран-зистора при различных смещениях затвора и стока. [23]

Толщина обедненной области под инверсным слоем в этом направлении увеличивается вследствие возрастания разности потенциалов между подложкой и каналом. [24]

В этом проявляется экранирующее действие инверсного слоя. [25]

У поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой ( см. § 1.12), который и является каналом, соединяющим исток со стоком. Так происходит управление током стока в поле - ЕОМ транзисторе с изолированным затвором и с индуцированным каналом. [26]

Величина А имеет смысл поверхностного сопротивления инверсного слоя, приходящегося на единицу приложенного напряжения. Эта величина будет определяться как свойствами самого полупроводника, так и услбвиями на его поверхности, и в каждом конкретном случае определяется экспериментально. [27]

Энергетические диаграммы контакта металл - высоколегированный полупроводник для создания омических переходов.| Энергетические диаграммы контакта металл - полупроводник с собственной электропроводностью ( а и металл - сла-болегированнын полупроводник п-типа ( б. [28]

Слева от точки пересечения образуется так называемый инверсный слой р-типа. В этом слое концентрация электронов ниже концентрации дырок. [29]

Вольт-фарадные характе - у v. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5