Инверсный слой

Cтраница 3

Предположение, что на высоких частотах заряд инверсного слоя не изменяется, не вполне справедливо. [31]

В случае электронного германия на поверхности трещины образуется инверсный слой с высокой проводимостью и большой величиной скорости генерации электронно-дырочных пар. Этим и объясняется шунтирование р-п перехода поверхностью трещины. При низких температурах инверсный слой исчезает и шунтирующее действие прекращается. [32]

У поверхности полупроводниковых кристаллов могут образоваться так называемые инверсные слои - слои, знак электропроводности которых противоположен знаку электропроводности в основном объеме полупроводника. [33]

Работа МДП-транзистора в значительной степени зависит от образования проводящего инверсного слоя на поверхности исходной подложки. Следовательно, характеристики такого транзистора должны зависеть от физической природы поверхности. [34]

Энергетические диаграммы кремния р-типа ( а и двуокиси кремния ( б. [35]

Имеет место также другой механизм, способствующий образованию первоначального инверсного слоя. Он обусловлен разностью работ выхода кремния, двуокиси кремния и материала затвора. Рассмотрим сначала искривление энергетических зон на границе раздела полупроводник - диэлектрик, вызванное разностью работ выхода кремния и двуокиси кремния. Однако следует иметь в виду, что работа выхода зависит от концентрации легирующей акцепторной примеси, так как уровень легирования определяет положение уровня Ферми. Работа выхода двуокиси кремния 7psio, для слоев толщиной 1500 - 6000 А составляет - 4 4 эВ, причем двуокись кремния проявляет свойства полупроводника n - типа. [36]

Зависимость изменения поверхностей удельной электрической проводимости полупроводника от внешней разности потенциалов. [37]

В режиме обеднения при высоких внешних напряжениях возможно образование инверсного слоя. Вследствие изменения концентрации свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника под действием внешнего перпендикулярного к поверхности электрического поля изменяется его проводимость. [38]

Зависимость нормированной минимальной емюсти МДП-структуры от удельной емкости и толщины диэлектрика. [39]

Минимальное значение Созтт достигается при наличии на поверхности полупроводника инверсного слоя, когда протяженность всей области объемного заряда, включающей облети инверсии и обеднения, не зависит от изменения постоянного напряжения. Максимальную толщину слоя объемного заряда можно вычислить по значению поверхностного электростатического потенциала, при котором концентрация неосновных носителей заряда на поверхности полупроводника достигает значения объемной концентрации основных носителей заряда. [40]

При механическом разрушении германиевых переходов на поверхности электронного германия образуется инверсный слой. [41]

При И3ипор QnQn Qo6, где Qn - заряд электронов инверсного слоя ( структура на р-подложке); Q06 - заряд обедненного слоя, который в режиме инверсии практически постоянен ( см. § 1.9) и не зависит от напряжения на затворе из-за экранирующего действия инверсного слоя. [42]

Такая большая величина плавающего потенциала может быть лишь при наличии инверсного слоя р-типа закорачивающего эмиттер с коллектором. [43]

Обратный ток такого перехода очень велик из-за генерации носителей в инверсном слое. [44]

Холла эффект, Он наблюдается при низких темп - pax в инверсном слое - двумерной системе электронов, удерживаемых вблизи границы раздела двух полупроводников перпендикулярным к границе электрич, полем. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5