Инверсный слой
Cтраница 5
При большой плотности отрицательных поверхностных состояний у поверхности полупроводника / г-типа образуется слой с противоположным типом электропроводности - инверсный слой. [61]
 |
Быстрые / и мед. [62] |
При большой плотности отрицательных поверхностных состояний у поверхности полупроводника / г-типа образуется слой с противоположным типом электропроводности - инверсный слой. Граница инверсного слоя в глубине полупроводника расположена там, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. Под инверсным слоем в полупроводнике находится обедненный слой. [63]
 |
Быстрые / и медленные 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [64] |
При большой плотности отрицательных поверхностных состояний у поверхности полупроводника - типа образуется слой с противоположным типом электропроводности - инверсный слой. Граница инверсного слоя в глубине полупроводника расположена там, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. Под инверсным слоем в полупроводнике находится обедненный слой. [65]
Убывание величины плавающего потенциала и обратного тока при охлаждении означает уменьшение степени ионизации поверхностных центров и уменьшение проводимости инверсного слоя. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5