Инверсный слой
Cтраница 4
Ау - отрицательно); затем происходит изменение типа электропроводности - образуется инверсный слой. [46]
Как правило, транзисторы, работающие в режиме обогащения, не имеют первоначального инверсного слоя при нулевом напряжении на затворе в отличие от транзисторов, работающих в режиме обеднения, которые являются более важными, поскольку могут работать как при положительном, так и при отрицательном напряжениях на затворе. Из рассмотрения очевидно, что МДП-транзис-тор с каналом - типа при положительном напряжении на затворе и МДП-транзистор с каналом р-типа при отрицательном напряжении на затворе работают в режиме обогащения. С другой стороны, МДП-транзистор с каналом - типа при отрицательном напряжении на затворе и МДП-транзистор с каналом р-типа при положительном напряжении на затворе работают в режиме обеднения. [47]
При понижении температуры происходит уменьшение обратного тока через переход вследствие уменьшения генерации носителей заряда внутри инверсного слоя и при низких температурах-70 - 80 С - в связи с исчезновением инверсионного слоя. [48]
 |
Образование обедненного ( а, инверсного ( б и обогащенного ( в слоев в полупроводнике вблизи металлургического контакта с металлом при работе выхода в металле меньше, чем в полупроводнике. [49] |
При противоположном соотношении работ выхода ( АМА) в полупроводнике - типа получается обедненный или инверсный слой, а в дырочном - обогащенный. [50]
Строго говоря, область объемного заряда будет существовать и за пределами заштрихованной области, отделяя приповерхностный инверсный слой от основного объема полупроводника. Мы будем рассматривать только ту ее часть, которая увеличивает обратный ток перехода. [51]
Вблизи контакта областей начинает сказываться влияние неосновных для данной области носителей заряда - так называемого инверсного слоя. Образование такого слоя в несимметричных переходах поясняет рис. В. Как видно из рисунка, в связи с тем, что падения напряжений на областях перехода обратно пропорциональны концентрации примесей в них, точка, где уровень Ферми в состоянии равновесия пересекает середину запрещенной зоны, не совпадает с границей контакта областей, легированных примесями разных типов. Следовательно, в слабо легированной части несимметричного резкого электронно-дырочного перехода существует слой, тип носителей в котором не соответствует типу примесей. Такой слой и называют инверсным. [52]
Если проводимость инверсного слоя мала, то приложенное к коллектору напряжение распространится на небольшой участок инверсного слоя и уже вблизи коллектора канал оборвется. При малой концентрации дырок в инверсном слое ( считаем, что инверсный слой обладает проводимостью р-типа) концентрация их может существенно уменьшиться под действием поля. [53]
При противоположном соотношении работ выхода ( Аа Лп) в полупроводнике n - типа получается обедненный или инверсный слой, а в дырочном - обогащенный. [54]
При противоположном соотношении работ выхода ( А А) в полупроводнике n - типа получается обедненный или инверсный слой, а в дырочном - обогащенный. [56]
В полевых транзисторах со встроенным каналом у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе существует инверсный слой - канал. [57]
В режиме инверсии Qn Qo6 Qn, где Рп-ехр ( фПОв / 2фт) - заряд электронов инверсного слоя, экспоненциально зависящий от фпоа. [58]
Если контактная разность потенциалов в контакте металл-по - - лупроводник велика, в полупроводнике вблизи контакта может образовываться инверсный слой ( рис. В. В этом случае при прямых напряжениях через такой контакт происходит инжекция. [59]
 |
Быстрые ( / и медленные ( 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5