Эпитаксиальный слой
Cтраница 1
Эпитаксиальный слой, как и подложка, состоит из кремния, причем атомы пленки продолжают монокристаллическую структуру подложки. [1]
Эпитаксиальный слой с низкой проводимостью материала позволяет получить высокие пробивные напряжения. Если сделать этот слой тонким, то его вклад в последовательное сопротивление коллектора оказывается малым. Основная часть объема тела коллектора выполняется из материала с очень высокой проводимостью. [2]
Эпитаксиальный слой представляет собой монокристаллическое продолжение основного материала, не имеет механических дефектов и напряжений. Скорость наращивания пленки невелика - несколько микрометров в час. [3]
Эпитаксиальный слой представляет собой монокристаллическое продолжение основного материала, не имеет механических дефектов и напряжений. Скорость наращивания пленки невелика - несколько микрометров в час. [4]
 |
Примеры эпитаксиальных слоев на разных типах подложки. [5] |
Эпитаксиальный слой осажденного кремния монокристалличен и имеет ту же кристаллическую ориентацию, что и подложка. [6]
 |
Примеры эпитаксиалышх в результате которой на подлож-слоев на разных типах подложки. ке осаждается чистый кремний. [7] |
Эпитаксиальный слой осажденного кремния монокри-сталличен и имеет ту же кристаллографическую ориентацию, что и подложка. [8]
Пусть однородный эпитаксиальный слой р-тиш электропроводности толщиной w, составляющий часть структуры - - перехода, в плоскости х0 освещается монохроматически светом интенсивностью / о. Световой поток генерирует носители заряда. [9]
В эпитаксиальных слоях кремния, нарастающих на кремниевых подложках 111, встречаются дефекты, называемые трипирамидами; они состоят из трех различно ориентированных индивидов, каждый из которых дважды сдвойникован относительно подложки. [10]
Если ввести эпитаксиальный слой в сплавной транзистор, то какие параметры будут улучшены. [11]
Переход к тонким эпитаксиальным слоям и совершенствование ряда диффузионных процессов позволили улучшить и традиционный процесс с изоляцией р-п-переходом, который в настоящее время наряду с методами комбинированной изоляции используется для создания быстродействующих ИС памяти. [12]
 |
Эпитаксиальные структуры. а - типа р - р. б - тийа п-п. в - типа р - п. е - типа п-р. [13] |
Граница между эпитаксиальным слоем и подложкой не получается идеально резкой: примеси в процессе эпитаксии частично диффундируют из одного слоя в другой. Поэтому метод эпитаксии не позволяет создавать тонкие ( менее 1 мкм) и многослойные эпитаксиальные структуры. [14]
Граница между эпитаксиальным слоем и подложкой не получается идеально резкой, так как примеси в процессе эпитаксии частично диффундируют из одного слоя в другой. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5