Эпитаксиальный слой

Cтраница 5

Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [61]

Через окна методом диффузии внедряются атомы трехвалентного бора в эпитаксиальный слой N-типа. Следовательно, образованы на месте островков четыре коллекторные области N-типа. [62]

Структура продольного р-п-р-транзистора представлена на рис. 5.8. Базой служит эпитаксиальный слой п-типа, причем активной базой является узкий зазор между диффузионными областями р - типа, а активными участками эмиттерного и коллекторного р - - переходов - их боковые стенки, обращенные к базе. Изготовление скрытого л - слоя под эмиттерной и коллекторной областями обязательно, так как благодаря градиенту концентрации доноров на границе эпитаксиального и скрытого слоев для дырок, инжектированных эмиттером, создается встроенное поле, которое отражает поток дырок. Здесь отметим лишь его наиболее важные свойства, существенные для анализа совмещенных транзисторных и тиристорных структур. [63]

На рис. 3 представлена зависимость концентрации свободных электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от парциального давления селена. Обращает на себя внимание большой разброс экспериментальных точек при малых уровнях легирования. Он обусловлен, по-видимому, непостоянством концентрации гидрида селена в газовой фазе либо в связи с адсорбцией на стенках аппаратуры, либо с частичным разложением. [64]

Страницы: 1 2 3 4 5