Эпитаксиальный слой
Cтраница 3
В реальных ИС подложкой служит высокоомный эпитаксиальный слой, толщина которого сравнима с шириной полосковых соединений. В работе [20] показано, что зависимости Vo ( an) и & о ( сгп), где ап - проводимость подложки, носят экстремальный характер. [32]
При авто - и гетероэпитаксии кристаллический переходный эпитаксиальный слой формируется в виде областей твердых растворов на основе кристаллических решеток двух срастающихся веществ. Протяженность этого слоя определяется внешними факторами и зависит от фазовых равновесий, характерных для данной системы. Для того чтобы переходный слой имел достаточно высокую степень совершенства кристаллической структуры, необходима взаимная растворимость срастающихся веществ и определенная температура процесса, при которой еще возможно ориентированное нарастание вещества. Существенную роль играют также степень концентрационного пересыщения осаждаемого вещества, совершенство подложки И чистота ее поверхности. [33]
Таким образом, образцы с эпитаксиальным слоем объединяют в себе оба преимущества - высокие пробивные напряжения и малые величины последовательных сопротивлений в теле коллектора. [34]
Все это обнаруживается и в эпитаксиальных слоях полупроводников. [35]
 |
Структуры диффузионного резистора и пленарного транзистора в полупроводниковой ИС. [36] |
На полученных таким образом подложках наращивают эпитаксиальный слой ( по-гречески эпи означает над и тайней - располагать) толщиной в несколько сотых долей миллиметра путем осаждения из газовой среды при высокой температуре кремния, образующегося при восстановлении водородом четыреххлористого кремния. При этом кристаллическая решетка выращенного слоя является точным продолжением кристаллической решетки подложки. Добавка в основную смесь газов соответствующих примесей определяет проводимость получаемого эпитаксиального слоя. Обычно используют подложку р-типа и эпитаксиальный слой п-типа. [37]
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии предполагает, что монокристаллический эпитаксиальный слой AIXIBV наносится на поверхность подложки в результате напыления молекулярным пучком в сверхвысоком вакууме. Этот метод позволяет точно контролировать толщину эпитаксиального слоя путем управления количеством напыляемого материала, переносимого молекулярным пучком на подложку. Кроме того, он дает возможность измерения толщины и кристалличности эпитаксиального слоя за счет применения в процессе наращивания метода дифракции электронных лучей. [38]
В диффузионных резисторах между ними и эпитаксиальным слоем образуются емкости, и такие резисторы ведут себя как RC-цепи с распределенными параметрами. Сравнительно большая площадь резисторов определяет и существенный ток утечки. В этом отношении тонкопленочные резисторы оказываются лучше диффузионных. [39]
Уже описанным мною способом на ней выращивается эпитаксиальный слой, не превышающий по толщине 15 мкм и тоже содержащий примеси п-типа. [40]
При изготовлении структуры на подложке 5 -типа выращивают эпитаксиальный слой 6 я-типа толщиной около 1 мкм с удельным сопротивлением 1 Ом см. Этот слой используется в дальнейшем для базы токозадающего и тонкого высокоомного эмиттера переключательного транзисторов. В слое 6 вытравливают меза-области для каждого переключательного п-р - п и токозадающего р-п - р транзисторов. [41]
Эти недостатки устранены в ФПЗИ, содержащих тонкий эпитаксиальный слой, созданный на подложке противоположного типа проводимости. Образующийся при этом р-п переход, на который подается обратное напряжение, служит коллектором неосновных носителей. Инжектированные носители экстрагируются р-п переходом за время порядка среднего времени их диффузии через эпитаксиальный слой. [42]
Поэтому при легировании расплава примесью теллура в эпитаксиальных слоях одновременно с донора-ми TeAs образуются комплексы Те У-а, имеющие акцепторный характер. Аналогично ведут себя и амфотерные примеси IV группы, например олова, образующего акцепторный комплекс. [44]
 |
Общий вид кристалла ИС оперативной памяти ЭСЛ-типа емкостью 64 бита. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5