Эпитаксиальный слой

Cтраница 4

Кристалл реализован на биполярных транзисторных структурах в тонких эпитаксиальных слоях с изоляцией р - - переходом с двухуровневой металлизацией. [46]

Предложенный им механизм основан на том, что эпитаксиальный слой на начальной стадии роста имеет хорошее соответствие, дальнейший рост характеризуется увеличением разориентации. Однако многочисленные работы других авторов [4 - 7] доказывают несостоятельность этой концепции. [47]

Введение примесей в исходную пластину полупроводника или в эпитаксиальный слой называется легированием полупроводника примесью. В полупроводниковой технологии применяются два способа легирования: диффузия и ионная имплантация. [48]

Примеры исполь - СТИНУ п-типа можно во время 1 - й диффузии. [49]

Внедрение примесей в исходную пластину ( или в эпитаксиальный слой) путем диффузии при высокой температуре является в настоящее время основным способом создания диодных и транзисторных структур. [50]

Отверстия в двуокиси кремния используются для диффузии в эпитаксиальный слой примесей р - или и-типов. Наиболее широкое применение для этих целей получили бор и фосфор, так как они хорошо диффундируют в кремнии и плохо - в двуокиси кремния. [51]

КИД-структура. а - п. - р - л-транзистор. б - резистор в базовом слое. в - сжатый резистор. [52]

Из таблицы видно, что в КИД-структуре применяется тонкий эпитаксиальный слой. Этим определяются малые размеры изолирующих областей. [53]

Для создания необходимой разницы богатый примесями полупроводник покрывают тонким эпитаксиальным слоем. Для этого полупроводник, например кремний, нагревают в атмосфере водорода до температуры примерно на сто градусов ниже точки его плавления. Затем температуру слегка понижают и одновременно вводят полупроводник в тетрахлорид кремния. Последний разлагается, и на поверхности полупроводника осаждается эпитаксиальный слой, состоящий из атомов кремния, расположенных в идеальном порядке кристаллической решетки. Толщина этого слоя составляет сотую долю миллиметра, а его высокая чистота определяет высокое удельное электрическое сопротивление. [54]

Анализ причины возникновения поверхностных и структурных дефектов в эпитаксиальных слоях элементарных полупроводников показывает, что основными направлениями борьбы с ними являются повышение качества обработки и чистоты поверхности подложек, уменьшение осевых и радиальных градиентов температуры в подложке и растущем слое, проведение процесса эпитаксиального роста в стерильных условиях и оптимальном режиме. Последние два направления определяются в основном совершенством используемой в производстве эпитаксиальных структур аппаратуры. [55]

Исследованы причины возникновения напряжений и дефектов структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAsP. [56]

Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р-п переходом ( д, вид сверху пос -. ле удаления оксидной пленки ( е. [57]

Для того чтобы изолирующий р-п переход ( подложка - эпитаксиальный слой) был всегда заперт, на подложку р-типа относительно островков подают отрицательный потенциал. Вследствие очень большого сопротивления обратно включенных р-п переходов островки кремния п-типа оказываются электрически изолированными друг от друга. [58]

Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р - n переходом ( д, вид сверху после удаления оксидной пленки ( е. [59]

Для того чтобы изолирующий р-п переход ( подложка - эпитаксиальный слой) был всегда заперт, на подложку р-типа относительно островков подают отрицательный потенциал. Вследствие очень большого сопротивления обратно включенных р-п переходов островки кремния л-типа оказываются электрически изолированными друг от друга. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5