Эпитаксиальный слой
Cтраница 2
Неоднородности в эпитаксиальных слоях возникают по ряду причин. [16]
 |
Модель трехслойного паразитного транзистора.| Модель паразитного диода. [17] |
V и VIII эпитаксиальный слой граничит с поверхностью кристалла, а на участках VI и VII - с металлическим контактом коллектора. [18]
 |
Диодная сборка. [19] |
База р-типа, эпитаксиальный слой коллектора - типа и подложка р-типа образуют паразитный р-п - р транзистор. [20]
Металлический электрод на эпитаксиальный слой полупроводника обычно наносят методом испарения в вакууме с последующим осаждением на поверхность эпитаксиального слоя. Перед нанесением металлического электрода целесообразно методами фотолитографии создать окна в оксидном слое на поверхности полупро-хводника. [21]
Металлический электрод на эпитаксиальный слой полупроводника обычно наносят методом испарения в вакууме с последующим осаждением на поверхность эпитаксиального слоя. Перед нанесением металлического электрода целесообразно методами фотолитографии создать окна в оксидном слое на поверхности полупроводника. [22]
 |
Кремниевая диодная матрица на сапфировой подложке. [23] |
При этом - вырастает эпитаксиальный слой. [24]
Рабочим телом усилителя является эпитаксиальный слой 5 арсенида галлия n - типа толщиной 2 мкм, выращенный на полупроводниковой подложке. Электрод с барьером Шоттки ( 2) возбуждает сигнал. На выходе усилителя с помощью электрода с барьером Шоттки происходит процесс обратного преобразования волны пространственного заряда в электромагнитные колебания. [25]
Подложки кремния выпускаются с эпитаксиальным слоем одно - и многослойными. Часто эпитаксиальные структуры содержат скрытый я - слой. Однослойные эпитаксиальные структуры представляют собой эпитаксиальные слои л-кремния с равномерной концентрацией примесей, выращенные на полупроводниковом кристалле - типа приводимости. [26]
Во время наращивания в эпитаксиальных слоях могут создаваться различные дефекты структуры: дислокации, дефекты упаковки, бугорки, пирамиды, линии скольжения, поликристалличе-ские включения. [27]
Образование линейных дефектов в эпитаксиальных слоях обусловлено дислокациями, прорастающими в них из подложки и возникающими в результате напряжений. Однако причин возникновения напряжений в эпитаксиальных слоях значительно больше, чем в объемных монокристаллах. [28]
Концентрация носителей заряда в отдельных эпитаксиальных слоях различна. Наименьшую величину (: 1014 см-3) она имеет в буферных слоях, осаждаемых непосредственно на подложку, которую для структур, предназначенных для полевых транзисторов, изготовляют из полуизолирующего арсенида галлия. [29]
Исследовано распределение примесей вблизи границы эпитаксиальный слой - подложка. Выявление металлургической границы основано на химическом травлении косого шлифа эпитаксиальной структуры, изготовленного под малым углом. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5