Обедненный слой

Cтраница 1

Обедненный слой ( 0 5 - 3 0 мм), возникающий на поверхности в результате термической обработки детали при высоких температурах, имеет меньшие жаропрочность, выносливость и термостойкость и подлежит удалению. [1]

Обедненный слой создается различными способами: путем непосредственного осаждения высокоомной пленки пьезополупроводника на звукопровод, с помощью диффузии и другими. В каждом случае преобразователь состоит из очень тонкого высокоомного слоя пьезополупроводника на поверхности низкоомного базового электрода. [2]

Обедненный слой в условиях равновесия в полупроводниках с не очень большой концентрацией примесей обычно невелик, однако он толще инверсного слоя. Обедненному слою соответствуют линейное изменение напряженности поля ( так как потенциал меняется по параболе) и приблизительно постоянное значение плотности объемного заряда. Наконец, квазинейтральная область распространяется неограниченно в объем полупроводника, однако ее влияние мало и часто не принимается во внимание. [3]

Обедненные слои, близкие к р-п переходу, пополняются основными носителями заряда. Сопротивление р-п перехода снижается, уменьшается потенциальный барьер. [4]

Обедненный слой возникает не только при эксплуатации изделий, но также при их термической обработке. [5]

Обедненные слои 5 и 6 ограничивают толщину перешейка 4, который образует канал, соединяющий области истока и стока. Канал 4 при помощи выводов Я и С включается в выходную цепь, а на управляющий р - n - переход подается обратное напряжение от батареи Ея и напряжение усиливаемого сигнала UBX. Действующее сечение канала 4, по которому проходят электроны от истока к стоку, зависит от толщины обедненного слоя управляющего р-л-перехода, так как электроны не могут проникать в этот слой. Поскольку толщина запирающего слоя, в свою очередь, зависит от напряжения на р-л-переходе, сечение открытого для электронов канала, а следовательно, и его электрическое сопротивление, управляются напряжением усиливаемого сигнала. [6]

Если обедненный слой состоит из легированного полупроводника ( обычно л - или v-слой), то в нем можно заранее создать заряд ионизированных донорных; или акцепторных атомов, противоположный по знаку заряду движущихся носителей. [7]

Ширина обедненного слоя связана с контактной разностью потенциалов, которая, в свою очередь, зависит от выбора материалов и концентрации примесей. [8]

Часть обедненного слоя толщиной L0 p расположена в р-области ( рис. 2.2, а) и содержит отрицательный заряд ионов акцепторов. Другая часть толщиной Lo6n находится в гс-области, в ней сосредоточен положительный заряд ионов доноров. [9]

Образование обедненного слоя вызвано отталкиванием основных носителей подложки - электронов - от поверхности. [10]

Упрощенная зонная структура и концентрация электронов вблизи контакта металл - кремний в условиях равновесия, показывающая образование обогащенного слоя в n - Si. [11]

Присутствие обедненного слоя не обязательно ведет к появлению выпрямляющего контакта. Туннелирование может играть важную роль в случае омических контактов алюминия с кремнием. На практике для образования омических контактов используется кремний с высокой степенью легирования. Проведение таких исследований осложнено рядом трудностей. [12]

Распределение носителей и зонные диаграммы в МОП-транзисторе с индуцированным р-каналом. [13]

Образование обедненного слоя вызвано отталкиванием основных носителей подложки - электронов - от поверхности. [14]

Образование обедненного слоя у контакта металл-диэлектрик. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5