Обедненный слой
Cтраница 2
Толщина обедненного слоя L, возникающего у контакта металл - диэлектрик ( рис. 10.2, в), может быть подсчитана по формуле (8.34), описывающей толщину обедненной области резкого р - п-перехода. В табл. 10.2 представлены значения L, вычисленные для тех же величин Ф0, что и в табл. 10.1, и для о на порядок выше пк. [16]
 |
Образование обедненного ( а, инверсного ( б и обогащенного ( в слоев в полупроводнике вблизи металлургического контакта с металлом при работе выхода в металле меньше, чем в полупроводнике. [17] |
В обедненных слоях пространственный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление приконтактной области полупроводника по сравнению с сопротивлением объема полупроводника. [18]
В обедненном слое возникает электрическое поле, препятствующее диффузии электронов к контакту. Как и для р-п-пере-хода ( § 2.2), равновесное состояние ( U0) характеризуется определенными значениями напряженности поля, высоты потенциального ( или энергетического) барьера и толщины обедненного слоя, который целиком расположен в полупроводнике вследствие предельно высокой концентрации свободных электронов в металле. При отсутствии поверхностного заряда равновесная высота энергетического барьера была бы равна разности работ выхода из металла и полупроводника. [19]
В обедненных слоях объемный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. [20]
В обедненных слоях пространственный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление приконтактной области полупроводника по сравнению с сопротивлением объема полупроводника. [22]
В обедненном слое концентрации электронов и дырок резко уменьшаются и достигают концентраций неосновных носителей в противоположных областях. [23]
 |
Конденсатор на основе р - - перехода. [24] |
Очевидно, обедненный слой имеет большую толщину с той стороны, где концентрация носителей была меньше. [25]
В результате обедненный слой расширяется, сопротивление между стоком и истоком возрастает и появляется тенденция к ограничению тока. [26]
Глубина проникновения обедненного слоя в объем канала и, следовательно, его поперечное сечение определяются напряжением на затворе t / зи, которое управляет током стока. [27]
Глубина проникновения обедненного слоя в объем канала увеличивается от истока к стоку, так как обратное напряжение перехода затвор-канал растет. Наличие тока стока объясняется инжекцией носителей заряда в обедненную область из канала подобно тому, как в биполярных транзисторах происходит перенос неосновных носителей заряда из базы в обед-денную область коллектора. [28]
 |
Энергетическая диаграмма МДП-структуры на основе полупроводникар-типапри У О ( a, V0 ( 6 V0 и eVPe / 2 ( в. [29] |
V заряд обедненного слоя не успевает измениться и равновесие между объемом полупроводника и инверсионным слоем практически не устанавливается. В этом случае для изменения заряда инверсионного слоя необходим омический контакт непосредственно с ним. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5