Обедненный слой

Cтраница 3

Ширина W обедненного слоя увеличивается при увеличении напряжения смещения V. Для определения зависимости между W и V проинтегрируем Е ( х) на рис. 3.4, в в пределах от х 0 до xW и приравняем полученное выражение V. Поскольку при xW, Е 0, а при х0 напряженность поля максимальна и равна Е0, то из уравнения Пуассона получим E0 qNdW / es, где es - диэлектрическая постоянная полупроводника. [31]

Зависимость С 2 смещения V [ Grove, 1967 ]. [32]

Изменения ширины обедненного слоя обусловлены различной плотностью заряда на границах этого слоя. [33]

Рассмотрим образование обедненного слоя в / n - n - переходе. На рис. 3.32, а показаны энергетические диаграммы уединенных т - и и-областей. [34]

В случае обедненного слоя ( № MiFn), наоборот, чем дальше удален электрон от отрицательных зарядов на поверхности металла, тем меньше его потенциальная энергия. [35]

Схематическое изображение детектора с р - п-переходом. [36]

Глубина w обедненного слоя приблизительно пропорциональна 1 / pF, где р - удельное сопротивление кремния в основной массе детектора, а V - приложенное напряжение. [37]

Равновесная толщина обедненного слоя контакта металл - полупроводник n - типа, как и для резко несимметричного р - л-перехода, может быть рассчитана по (2.2) с заменой фо на фмпо - Чем выше высота барьера, тем больше толщина обедненного слоя, последняя уменьшается с ростом концентрации доноров. [38]

Контакт с обогащенным сломи и циэлокт-рическим зазором.| Контакт с инверсионным слоем ( с физическим р-п-пе-реходом.| Контакт с металлургическим р-п-пс-реходом. [39]

Контакты с обедненным слоем ( рис. 1) в равновесном случае обогащены неосновными носителями ( поле, к-рое вытесняет осн. При прохождении тока в обратном направлении происходит экстр акция ( извлечение, вытягивание) в контакт неосновных носителей из приконтактной части образца, протяженность к-рой определяется длиной диффузии неосновных носителей. [40]

Поскольку в обедненном слое практически отсутствуют подвижные носители заряда ( за исключением пар электрон-дырка в результате термогенерации), то проводимость канала снижается вследствие уменьшения его поперечного сечения. [41]

Энергетическая диаграмма рп-перехода. а - состояние термического равновесия. б-обратное смещение. в - прямое смещение.| Распределение носителей а в pn - переходе. а - состояние термического равновесия. б - обратное смещение. в - прямое смещение. [42]

В этом обедненном слое и образуется встроенное электрическое поле рп-перехода. Точка х 0 на рисунке означает металлургическую границу рп-перехода. На рис. 3.6, а схематично изображено распределение носителей для этого случая. Здесь ось ординат имеет логарифмический масштаб. [43]

Генерируемые в обедненном слое неосновные носители заряда ( дырки) расходуются на образование инверсного CJOH и заполнение поверхностных состояний, тогда как основные носители заряда ( электроны) нейтрализуют положительный объемный заряд ионизированных доноров на границе обедненного слоя, вызывая тем самым уменьшение его толщины. [44]

Спектральная и частотная характеристики германиевого фотодиода.| Эквивалентная электрическая схема фотодиода с р-п-переходом. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5