Обедненный слой

Cтраница 4

В поверхностно-барьерных фотодиодах обедненный слой получается при использовании барьера, образованного контактом металл-полупроводник. [46]

Как изменяется ширина обедненного слоя в кристалле с увеличением концентрации примесей. [47]

Структура полевого транзистора с р-гс-переходом в качестве затвора ( модель Шокли. [48]

Поскольку зависимость толщины обедненного слоя резкого р - л-перехода и высоты барьера Шотки [ см. (2.66) и (3.5) ], а также основные свойства обоих типов полевых транзисторов одинаковы, ниже рассматриваются только полевые транзисторы с р - п-переходом в качестве затвора. [49]

Разрез структуры полевого транзистора с барьером Шотткя. [50]

Поскольку зависимость толщины обедненного слоя от напряжения смещения для диода Шоттки совпадает с аналогичной зависимостью для резкого р - га-перехода, то принцип действия прибора не отличается от принципа действия полевого транзистора с управляющим р-я-переходом. Применение металлического затвора вместо р - - перехода позволяет существенно уменьшить размеры структуры. [51]

Так как глубина обедненного слоя не превышает 0 5 мм, то при выполнении последующей сварки этот слой будет расплавлен и практически не повлияет на механические и коррозионные свойства сварного соединения. [52]

Как изменяется ширина обедненного слоя в кристалле с увеличением концентрации примесей. [53]

Оно изменяет толщину обедненного слоя контакта и тем самым управляет толщиной проводящей части канала, количеством носителей заряда в канале и током через него. В полевых транзисторах с управляющим р-п-переходом в качестве затвора используется область противоположного типа проводимости по отношению к каналу, образующая с ним р-я-переход, который в рабочем режиме имеет обратное включение. Напряжение на затворе изменяет толщину обедненного слоя управляющего р-л-перехода и тем самым толщину проводящей части канала, число носителей заряда в нем и, следовательно, ток в канале. [54]

Распределение поля в МДП-транзисторе в отсутствие напряжения. [55]

Инверсионный слой значительно тоньше обедненного слоя. Толщина последнего обычно составляет сотни ангстрем, а толщина индуцированного канала составляет всего 10 - 20 А. Как видим, дырки буквально прижаты к поверхности полупроводника. Отсюда ясно, что структура и свойства границы полупроводник - диэлектрик играют в МДП-транзисторах исключительно важную роль. [56]

Изменение, электрического поля в обедненном слое зарядом движущихся носителей. [57]

При этом в обедненном слое накапливается избыточный заряд, а время спада тока после прекращения импульса тока быстрых электронов увеличивается. [58]

Зарядные процессы в обедненном слое р-л-переходов транзистора обусловлены наличием объемного заряда у границ р-л-переходов. [59]

Это означает, что обедненный слой проникает на значительную глубину в полупроводник. Поэтому формула ( 10) в этом случае уже несправедлива и глубина проникновения поля в полупроводник меньше, чем следует из этой грубой оценки, но и при этом поле проникает вглубь на несколько тысяч атомных слоев. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5