Обедненный слой

Cтраница 5

Электроны, попав в обедненный слой, движутся в его поле не под действием сил диффузии, а дрейфуют с относительно высокой скоростью 60 км / сек. Следствием этого является способность таких транзисторов работать при высоких частотах. [61]

В направлении от границ обедненного слоя концентрация неосновных носителей заряда возрастает, приближаясь к равновесной. [62]

Структура р-п перехода. [63]

Промежуточные участки между границами обедненного слоя и перехода являются участками экранирования р - и n - слоев диода от поля создаваемого зарядами обедненного слоя. При перепаде концентраций носителей на три порядка и более протяженность участков экранирования обычно не превышает О 1 мкм, тогда как ширина собственно обедненного слоя, как увидим ниже, в несколько раз больше. Такая идеализация существенно упрощает решение многих задач, за исключением, конечно, тех, которые непосредственно связаны с анализом потоков носителей. [64]

Зависимость сопротивления контакта металл-полупроводник при малом напряжении на контакте от работы выхода металла для селена. [65]

Таким образом, при обедненном слое контакт получается выпрямляющим. [66]

При отсутствии рекомбинации в обедненном слое перехода эмиттер - база транзистор можно считать идеальным в том смысле, что его зависимость ток - напряжение подчиняется диффузионной теории Шокли р-я-перехода. Воздействие рекомбинации в обедненном слое перехода эмиттер - база на шум на контактах прибора проявляется как добавление независимой составляющей к идеальным шумовым токам эмиттера и базы. [67]

На рис. 1.5, а обедненный слой отмечен кружочками со знаками - и, обозначающими отрицательные и положительные ионы соответственно акцепторной и донорной примеси. Это поле препятствует дальнейшему диффузионному перемещению дырок из полупроводника р-типа в полупроводник / г-типа и электронов в противоположном направлении. [68]

Страницы: 1 2 3 4 5