Сопротивление - база
Cтраница 1
Сопротивления базы ( Б), эмиттера ( Э) и коллектора ( К) не учитываются, потому что их влияние можно учесть в линейном ре-зистивном n - полюснике. [1]
 |
Структура диода ( а, изменение распределения плотности объемного заряда ( б, роля ( в и потенциала ( г в идеальном р-п-пе-реходе. [2] |
Сопротивление базы определяется распределенным сопротивлением кристалла. За счет сопротивления базы вольтамперная характеристика при больших прямых токах переходит в прямую и о линию. Следует иметь в виду, что с увеличением прямого тока сопротивление базы уменьшается, так как база заполняется носителями. Этот эффект называют модуляцией проводимости базы. [3]
Сопротивление базы может быть уменьшено за счет увеличения длины эмиттера и толщины базового слоя. Увеличение длины эмиттера ( при уменьшении его ширины), как способ уменьшения RQ, широко используется на практике и пределы его применения ограничиваются, в основном, техническими причинами. Известны ( например, [87]) мощные запираемые тиристоры с длиной эмиттера 60 см при ширине его 300 мкм. [5]
Сопротивление базы у плоскостных транзисторов может достигать 100 - 200 Ом. По мере увеличения заряда в базе растет число свободных носителей и поэтому сопротивление базы уменьшается. [6]
Сопротивление базы у германиевых транзисторов не превышает 200 ом и уменьшается при температуре 50 С до 140 - 160 ом. Для обеспечения постоянства базового тока с точностью 1 % в этом диапазоне температур в цепь базы необходимо включить резистор порядка 5 ком. Включение этого резистора приводит также к увеличению входного сопротивления транзисторного преобразователя и к уменьшению влияния изменения сопротивления эмиттерной нагрузки, например из-за температурной нестабильности сопротивления рамки гальванометра. [7]
 |
Характеристики типичного.| Условное обозначение транзисторов в схемах. [8] |
Сопротивление базы г в входит как в цепь эмиттера, так и в цепь коллектора. Цепь коллектора содержит эквивалентный генератор напряжения ( эгг. [9]
 |
Вольт-амперная характеристика перехода. [10] |
Сопротивление базы является функцией режима работы транзистора. Характер зависимости нелинейный; уменьшение сопротивления с увеличением токов вначале более резкое и затухает по мере возрастания тока. Ввиду зависимости сопротивления базы от режима транзистора величина R o должна определяться с учетом условий применения транзистора в реальной схеме. [11]
Сопротивления базы и эмиттера могут быть найдены из анализа входных характеристик. [12]
Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора, однако в рассматриваемом случае можно пренебречь погрешностью, обусловленной колебаниями температуры окружающей среды. Колебания коллекторного напряжения UK на величину разброса сопротивления базы сказываются незначительно. [13]
Сопротивление базы Гьь составляет 100 ом. [14]
Сопротивление базы гьь оказывает значительное влияние на высоких частотах. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5