Сопротивление - база
Cтраница 3
Величину сопротивления базы для малых сигналов Гб обычно указывают в паспортных данных или измеряют для выбранного статического режима. [31]
 |
Распределение токов в базе длинного ( а и тонкого ( б вен-тилей при высоких уровнях инжекции. [32] |
Уменьшение сопротивления базы с увеличением уровня инжекции носит название эффекта модуляции сопротивления базы. Он существенно изменяет распределение токов в базе. [33]
Величина сопротивления базы г ъ берется из измерений. [34]
 |
Диаграммы относительных погрешностей параметров усилительного каскада с последовательной ООС. [35] |
Изменения сопротивления базы Гб на величину суммарной погрешности входного сопротивления влияют в меньшей степени. [36]
Определения сопротивления базы гб гп и коэффициента усиления по току о для схемы с заземленной базой даны выше ( стр. [37]
 |
Входные ( а и выходные ( б характеристики транзистора при повышенной температуре. [38] |
Уменьшение сопротивления базы гбс ростом / э ( рис 6.13, а) объясняется увеличением концентрации неосновных и основных носителей. Рост гб с увеличением UK ( рис. 6.13, б) связан с изменением геометрии базы ( уменьшение площади поперечного сечения базы реального плоскостного транзистора) из-за расширения слоя объемного заряда у коллекторного р-п перехода. [39]
При этом сопротивление базы, вычисленное из уравнения (1.21), лежит в пределах 90 - 165 ом. Это достаточно хорошее совпадение, так как в уравнении (1.21) не учтена модуляция проводимости материала. [40]
 |
Полные эквивалентные схемы транзисторов. [41] |
Аналогично определяют сопротивление базы и при других связях в транзисторе. Метод расчета нужно выбирать в зависимости от исследуемого процесса. [42]
 |
Переключение ПП диода. а - . схема измерения времени переключения. Лпр и йобр - прямое. [43] |
Яд-ток и сопротивление базы. [44]
 |
Схемы включения триодов при определения эквивалентных сопротивлений схем замещения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5