Сопротивление - база
Cтраница 5
ЕК и сопротивлением базы RB и мало зависит от параметров транзистора. Эта схема может применяться в тех случаях, когда усилитель работает при незначительных колебаниях температуры окружающей среды. [61]
Таким образом, сопротивление базы также состоит из двух составляющих: активной и реактивной. [62]
Аналогичным путем определяют сопротивление базы и при других связях в транзисторе. Метод расчета нужно выбирать в зависимости от исследуемого процесса. [63]
 |
Типичные зависимости напряжения включения от освещенности при 300 К для разных образцов. Верхняя шкала относится к верхней кривой, нижняя - к остальным. [64] |
При освещении S-диодов сопротивление базы уменьшается вследствие внутреннего фотоэффекта. [65]
Следует указать что сопротивление базы при инверсном включении транзистора отличается от величины, определяемой при нормальном включении. Причина заключается в асимметрии структуры транзистора. [66]
В такой цепи сопротивление базы гь рассматривается как внешняя составляющая, подключенная последовательно с внешним импедансом между контактами эмиттер - база. [67]
Коль скоро влияние сопротивления базы в такой эквивалентной схеме исключается, то здесь мы его рассматривать не будем, а сконцентрируем свое внимание на этом внутреннем транзисторе В, Е, С. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5