Сопротивление - база
Cтраница 2
Сопротивление базы гб имеет две составляющие: омическую составляющую гбо и так называемую диффузионную составляющую гбд. Определим эти составляющие отдельно. [16]
Сопротивление базы ГБ является важным физическим параметром транзистора, его значение определяется размерами структуры и распределением концентраций примесей в активной и пассивной областях базы. [17]
Обычно сопротивление базы имееет величину не более 5 ом Если принять R 1 аи, ток смещения должен быть не менее 25 ма. [18]
Если сопротивление базы известно, то эта формула позволяет рассчитать вольт-амперную характеристику, принимая в качестве независимой переменной значение тока. [19]
 |
Форма р-п перехода в микроплоскостном диоде.| Зонная диаграмма контакта полупроводника с металлом до инверсии ( а и после наступления инверсии ( б. [20] |
Обычно сопротивления базы в таких диодах составляют сотни ом, допустимые мощности и прямые токи не превышают 10 мВт и 10 - 20 мА соответственно. Пропускание больших токов приводит к расформовке р-п перехода и резкому ухудшению его свойств. [21]
Обычно сопротивление базы RQ ( 1 - - 2) Ом для мощных диодов и RQ г ( 20 - 30) Ом для маломощных диодов. [22]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода как генератора шума. [23] |
Величина сопротивления базы зависит от тока диода. Следует различать сопротивления базы для постоянного и переменного токов. [24]
Величина сопротивления базы rg определяется конструкцией транзистора и удельным сопротивлением материала базы. [25]
Величина сопротивления базы определяется электропроводностью исходного материала. [26]
 |
Эквивалентная схема диода.| Временные диаграммы напряжения при прохождении через диод прямоугольного импульса тока. [27] |
Изменение сопротивления базы при заполнении ее носителями заряда называют модуляцией сопротивления базы. [28]
Модуляция сопротивления базы из-за появления накопленного заряда отсутствует. [29]
 |
Видоизмененные высокочастотные линейные модели транзистора. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5