Сопротивление - база
Cтраница 4
Поскольку обычно сопротивления базы и эмиттера значительно меньше сопротивлений коллектора и нагрузки, то выражения для параметров каскада можно упростить. [46]
 |
Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [47] |
Аналогично определяют сопротивление базы и при других связях в транзисторе. Метод расчета нужно выбирать в зависимости от исследуемого процесса. [48]
 |
Распределение дырок в базе диода в различные мо менты времени после прило - о 5 ження импульса прямого тока ( координата х. - в единицах L0. [49] |
Явление уменьшения сопротивления базы вследствие инжекции дырок р-п перехода, смещенного в прямом направлении, называют модуляцией сопротивления базы. Таким образом, переходный процесс, искажающий передний фронт импульса, проходящего через диод в прямом направлении, обусловлен модуляцией сопротивления базы. [50]
 |
Схема установки для измерения параметров транзистора. [51] |
При измерении сопротивления базы г § генератор через сопротивление 500 ом подключают к коллектору транзистора. В эмит-терной цепи осуществляется холостой ход. Ток базы определяют по падению напряжения на сопротивлении 1 ком. Напряжение на распределенном сопротивлении базы транзистора измеряют вольтметром, включенным между эмиттером и базой. Сопротивление 1 ком в цепи базы при этом закорочено. [52]
Средние значения сопротивлений базы и эмиттера согласно ( 1 - 9а) и ( 1 - 12) гб 110 ом и га8 2 ом. [53]
Такую величину сопротивления базы можно получить, присоединив последовательно к Гб внешнее сопротивление порядка 100 ом. [54]
 |
Конфигурация электродов СВЧ-транзи. [55] |
Для уменьшения сопротивления базы и вредного эффекта вытеснения тока к краям эмиттера в биполярных транзисторах для СВЧ обычно создают электроды особой конфигурации, при которой эмиттерная область состоит из ряда полосок малой ширины. Такая геометрия электродов особенно необходима для мощных транзисторов, так как при больших токах эффект вытеснения тока особенно сильно выражен. Существует несколько вариантов этих транзисторов. Все эти эмиттеры соединены параллельно металлическим контактным слоем, нанесенным поверх слоя защитной оксидной пленки. Для маломощного транзистора не требуется большая площадь переходов, и он может быть сделан по тому же принципу, но с малым числом полосок ( рис. 6 - 22), длина которых составляет всего лишь 20 - 30 мкм, а ширина - единицы микрометров. [56]
Диффузионная составляющая сопротивления базы может быть достаточно большотг. [57]
Эффект влияния сопротивления базы г на характер управления транзистором зависит от величины коллекторного тока. [58]
Рассмотрим изменение сопротивления базы. В первый момент времени после включения прямого напряжения сопротивление базы определяется стационарной проводимостью материала базы. Это сопротивление называют импульсным. [59]
Из-за наличия сопротивления базы ухудшаются выпрямляющие свойства р-п перехода, так как увеличивается прямое падение напряжения и возрастает мощность, рассеиваемая на диоде. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5