Сопротивление - объем
Cтраница 1
Сопротивление объема представляется величиной гпр, а сопротивление утечки - гб. Эти постоянные величины обычно выбираются для получения наилучшего совпадения с характеристикой реального диода. [1]
 |
Принципиальная схема многополюсного трубчатого электрода. [2] |
Связь сопротивления объемов пасты между полюсами электрода и его геометрическими размерами описывается уравнениями высших степеней. [3]
 |
Схема установки для измерения сопротивления растворов электролитов ( мост Кольрауша. [4] |
Измерение сопротивления объема раствора электролита производят обычно с помощью специального моста сопротивления - моста Коль-рауша. [5]
Во-вторых, сопротивление объема полупроводникового кристалла не равно нулю, и при больших прямых токах им нельзя пренебрегать. Так как в реальных диодах используются несимметричные р - - переходы, в которых сопротивление эмиттера гэ значительно меньше сопротивления базы гв, учитывают только сопротивление базы, которое оказывает влияние на прямую ветвь В АХ диода. [6]
Во-вторых, сопротивление объема полупроводникового кристалла яе равно нулю, и при больших прямых токах им нельзя пренебрегать. Так как в реальных диодах используются несимметричные р-п-пере-ходы, в которых сопротивление эмиттера г3 значительно меньше сопротивления базы Го, учитывают только сопротивление базы, которое оказывает влияние на прямую ветвь вольт-амперной характеристики диода. [7]
Включение прямое, сопротивлениями объемов областей коллектора и эмиттера пренебречь. [8]
Установить погрешность при измерении сопротивления объема водных растворов электролитов, обладающих электропроводностью разных порядков. [9]
Распределенное сопротивление базы гб5, представляет сопротивление объема материала, из которого сделана база; это сопротивление включено последовательно с базовым выводом. Его величина зависит от толщины базы ( которая обычно мала по сравнению с ее поперечными размерами) и удельного сопротивления материала базы, которое как указывалось в параграфе 2 настоящей главы, специально выбирается много большим, чем удельное сопротивление материала, из которого изготовлен эмиттер. Этим объясняется, почему распределенное сопротивление базы больше распределенного сопротивления эмиттера. Распределенные сопротивления эмиттера и коллектора обычно пренебрежимо малы по сравнению с импедансами, с которыми они подключаются последовательно. Величина распределенного сопротивления базы оказывает сильное влияние на коэффициент усиления кристаллического триода, особенно на высоких частотах. [10]
Сопротивление rs в эквивалентной схеме определяется сопротивлением объема полупроводника, контактов и выводов. [11]
Наиболее существенно на работу канального транзистора будет влиять сопротивление объема германия между каналом и нижним невыпрямляющим электродом - истоком, так как это сопротивление является общим для входной и выходной цепей. [12]
 |
Единичный элемент объема. [13] |
Позднее будет показано, как относительно легко можно учесть сопротивление объема. [14]
 |
Распределение инжектированных дырок в базе транзистора. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5