Сопротивление - объем
Cтраница 4
 |
Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [46] |
Частотные свойства диода определяются в основном емкостью р-п перехода. На рис. 2.8 показана упрощенная эквивалентная схема диода, где г0 - сопротивление объема полупроводникового материала; гп - сопротивление р-п перехода, оно определяется вольт-амперной характеристикой диода ( при прямых смещениях низкое, при обратных - высокое); С - емкость р-п перехода. [47]
 |
Распределение концентрации основных и неосновных носителей при нейтральности объемного заряда. [48] |
Дробный член в ур-нии (3.76) возникает за счет поля. Следует помнить, что он не включает поля, возникающего из-за тока, протекающего через сопротивление объема полупроводника в диоде с р-га-переходом. [49]
 |
Вольт-амперная характеристика диода Д7Ж при различных температурах. [50] |
Наименьшим изменениям подвергается прямая ветвь характеристики диода. С увеличением температуры происходит уменьшение прямого падения напряжения, объясняется это уменьшением с температурой величины контактной разности потенциалов и сопротивления объема полупроводникового кристалла. [51]
ВАХ варисторов из оксидных полупроводников связана не со свойствами основной составляющей полупроводниковой керамики - кристаллитами, а со свойствами межкристал-литных прослоек и потенциальных барьеров на поверхности кристаллитов. Поэтому кроме традиционных требований обеспечения достаточной плотности с минимальной пористостью обожженного материала при изготовлении варисторов надо обеспечить высокоомность межкристаллитного слоя, сопротивление которого должно превышать сопротивление объема кристаллитов. [52]
В АХ варисторов из оксидных полупроводников связана не со свойствами основной составляющей полупроводниковой керамики - кристаллитами, а со свойствами межкристал-литных прослоек и потенциальных барьеров на поверхности кристаллитов. Поэтому кроме традиционных требований обеспечения достаточной плотности с минимальной пористостью обожженного материала при изготовлении варисторов надо обеспечить высокоомность межкристаллитного слоя, сопротивление которого должно превышать сопротивление объема кристаллитов. [53]
 |
Экспериментальные значения сопротизления жестких диафрагм. [54] |
Удаляют раствор, промывают систему дистиллированной водой и контрольным раствором. Затем, подготовив ячейку, измеряют сопротивление ячейки без диафрагмы ( с пустой обоймой) R R v - - R s, где R s - сопротивление объема раствора, равного объему диафрагмы. [55]
 |
Экспериментальные значения сопротивления жестких диафрагм. [56] |
Удаляют раствор, промывают систему дистиллированной водой и контрольным раствором. Наполнив ячейку контрольным раствором, измеряют сопротивление ячейки с диафрагмой R0iR z - - R0v - Затем, подготовив ячейку, измеряют сопротивление ячейки без диафрагмы ( с пустой обоймой) R R v R s, где R s - сопротивление объема раствора, равного объему диафрагмы. [57]
Удаляют раствор, промывают систему дистиллированной водой и контрольным раствором. Наполнив ячейку контрольным раствором, измеряют сопротивление ячейки с диафрагмой R iR R - - RQv Затем, подготовив ячейку, измеряют сопротивление ячейки без диафрагмы ( с пустой обоймой) R - R v - - R s, где R s - сопротивление объема раствора, равного объему диафрагмы. [58]
Простейшая из них ( рис. 2 - 18), кроме нелинейной проводимости запорного слоя 8, учитывает емкость, шунтирующую этот слой С, и сопротивление объема полупроводника г. Элемент С в общем случае включает в себя барьерную емкость, зависящую от приложенного к диоду напряжения, и диффузионную, характеризующую накопление носителей в объеме полупроводника и зависящую, таким образом, от прямого тока, протекающего через диод. Диффузионная емкость зависит от частоты тока, причем с повышением частоты убывает, стремясь к нулю. Сопротивление объема полупроводника г зависит от концентрации носителей в полупроводнике и при больших токах через диод уменьшается. Точный учет всех этих зависимостей достаточно сложен и на практике часто считают элементы Сиг линейными, приписывая им средние за период рабочей частоты значения. [59]
Для приготовления растворов используют бидистиллят, удельная электропроводность которого хн. Поместить электролитическую ячейку с испытуемым раствором в термостат с заданной температурой на 15 - 20 мин. В зависимости от конструкции деталей моста сделать 3 - 4 измерения сопротивления объема раствора Rx непосредственно или отсчитать R ], Rz и Яз при балансе моста. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5