Сопротивление - объем
Cтраница 5
Через 10 - 15 мин подключить электроды к измерительной установке и 3 - 4 раза измерить сопротивление объема раствора Rx ( см. стр. [61]
Расположение сосредоточенных параметров выбрано в соответствии с рис. П-20. Предполагается, что ток затвора распределяется между двумя областями у омического контакта, ток каждой области должен течь через объемное сопротивление затвора, область пространственного заряда и объемное сопротивление стока или истока. Область пространственного заряда представлена на эквивалентной схеме емкостью, соединенной параллельно с сопротивлением утечки. Введение в схему сопротивлений объема стока и истока требует включения генератора тока параллельно дифференциальному сопротивлению канала в области перекрывания. Напряжение, создаваемое генератором тока, есть напряжение, действующее на емкости затвор - П-21. [62]
Описание процесса протекания тока усложняется еще тем, что перенос носителей заряда в квазинейтральной области, допустим, р-типа проводимости определяется также и диффузией дырок по направлению к обедненному спою. Вследствие этого эффективная диффузионная длина носителей Ln или Lp зависит от координаты. Такие плотности тока могут быть достигнуты в солнечных элементах, работающих при концентрированном световом потоке. В условиях сильной освещенности становится существенным влияние сопротивления объема квазинейтральных областей и даже обедненного слоя на ток, значение которого под действием этих эффектов уменьшается при большом напряжении смещения. Когда перенос носителей заряда определяется в основном процессами, происходящими в квазинейтральных областях, ни одна из частей вольт-амперной характеристики не претерпевает существенных изменений, если только в структуру элемента не входят сверхтонкие диффузионные слои. При рекомбинационно-гене-рационном механизме протекания тока получаются несколько иные результаты, причем вольт-амперная характеристика изменяется наиболее значительно в области обратных напряжений смещения. [63]
Полученные результаты объяснены с помощью эквивалентной схемы ЭЛК. С этой целью автор рассмотрел тринадцать возможных эквивалентных схем и выбрал такую, которая наилучшим образом передает частотную зависимость мощности, поглощаемой и излучаемой ЭЛК, причем она содержала минимально возможное число эффективных параметров. Выбранная эквивалентная схема представляет собой параллельно соединенные емкость и активное сопротивление, соответствующие слою диэлектрика с ЭЛ ( гетерогенный слой), и последовательно включенное с ними активное сопротивление, соответствующее электродам. Сопротивление электродов и емкость гетерогенного слоя считаются независящими от частоты. Активное сопротивление гетерогенного слоя предполагается состоящим из двух частей, одна из которых не зависит от частоты и представляет собой сопротивление объема ( зерен ЭЛ и диэлектрика), а другая - зависит от частоты и связывается с сопротивлением барьеров в зернах ЭЛ. Автор показывает, что сопоставление частотной зависимости поглощаемой ЭЛК энергии, полученной экспериментально, с частотной зависимостью, рассчитанной по эквивалентной схеме, дает хорошее количественное совпадение. Следует отметить, что данная эквивалентная схема не только хорошо описывает частотную зависимость поглощаемой и излучаемой энергии ( то есть светоотдачи), но также успешно объясняет наблюдаемые частотные зависимости яркости свечения и выпрямленного тока в ЭЛК. В работе предлагается также оригинальный метод исследования ЭЛК, основанный на изучении характеристик выпрямленного тока. Оказалось, что выпрямляющие свойства ряда специально приготовленных конденсаторов обусловлены определенной ориентацией зерен люминофора. [64]
 |
Усилители на туннель.| Полутеневой поля - [ IMAGE ] Полутеневой по-ризатор по Липпнху. А - лпризатор по Лорану. анализатор. D-диафрагма, ограни. [65] |
В диапазонах УКВ и С В Ч многоступенные усилители конструируют с помощью спец. На более низких частотах указанные системы пе применяются и потому в радиовсщат. Неустойчивость ( самовозбуждение); величина паразит - Hoii индуктивности L в контуре, образованном диодом и эквивалентной нагрузкой, подключенной параллельно, должна удовлетворять условию L R2C, где С - емкосгь диода и схемы. В диапазонах УКВ, СВЧ и миллиметровом это требование определяет качество согласования диода с сопротивлениями генератора и нагрузки. Верхняя граничная частота должна быть примерно в 5 - 10 раз меньше предельной частоты диода: / пр ( 1 / 2я К С) / Л / Й8 - 1 -, где Rs - сопротивление объема полупроводника и подводящих проводов ( сопротивление потерь) диода. [66]
Через каждые 2 - 3 мин встряхивать колбу в термостате. Через 10 мин прозрачным раствором 2 - 3 раза ополоснуть сосуд и электроды. Оставшийся в конической колбе осадок залить 100 мл бидистиллята и вторично провести декантацию. Если установленное среднее арифметическое значение сопротивления объема раствора Rx отличается от Rx, то операцию получения нового раствора провести снова до установления воспроизводимого постоянного значения Rx. Измерять Rx рекомендуется при Ri порядка 105 Ом. [67]
При напряжении, несколько меньшем, чем напряжение, соответствующее пику, емкость имеет минимальное значение. При напряжениях, близких к контактной разности потенциалов, емкость пропорциональна ( иь-и) 2 и существует благодаря свободным носителям в запирающем слое вследствие вырожденности. В реальных туннельных диодах эта емкость, по-видимому, преобладает над диффузионной. Экспериментально наблюдаемая емкость Cj ( ug) почти вся может быть рассчитана теоретически путем решения уравнения Пуассона. При этом учитываются не только связанные заряды, но также и свободные носители, совершающие туннельный переход в-области p - n - перехода. В ур-нии (12.30) диффузионная емкость записана в зависимости от напряжения. Так как ток зависит от напряжения, то диффузионную емкость можно рассматривать в функции напряжения. Проводимость g ( ug) также является функцией напряжения. В области отрицательного сопротивления g ( Ug) отрицательна, при прочих напряжениях - положительна. Величина ее определяется теорией, развитой в предыдущих разделах. Последовательное сопротивление rs состоит из сопротивления объема полупроводника и сопротивления выводов, которыми полупроводник включается во внешнюю цепь. Этими же выводами определяется индуктивность. Дальше будет показано, что перечисленные паразитные элементы в значительной степени ограничивают устойчивость цепи туннельного диода. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5