Сопротивление - объем
Cтраница 2
Сопротивление переходов транзистора при нормальной работе выше, чем сопротивление объема, поэтому напряжение батареи смещения оказывается приложенным главным образом к переходам и электрическое поле в базе транзистора невелико. [16]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода, включенного в прямом направлении, на низкой ( 3 и повышенной ( 3 температуре. [17] |
Если величина напряжения, приложенного извне, больше высоты барьера, то сопротивление объема полупроводника соизмеримо с сопротивлением р-п перехода; характер общего сопротивления приближается к омическому и с увеличением температуры оно увеличивается. [18]
 |
Схема, эквивалентная схеме на.| Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой. [19] |
Здесь лэ, г (, и гк не следует путать с сопротивлениями объема эмиттера, базы и коллектора. Это просто омические члены, которые мы связываем с тремя основными областями. [20]
Эквивалентная схема состоит из следующих элементов, являющихся ее параметрами: rs - сопротивление объема базы, расположенного под точечным контактом; Rp - n - переменное сопротивление / 7-м-перехода; Сд - емкость р-п-пере-хода. [21]
Запирающий слой обеднен подвижными носителями зарядов, поэтому сопротивление этого слоя значительно выше сопротивления объемов полупроводника, лежащих за пределами слоя I. В действительности в слое I находится некоторое количество подвижных носителей заряда, так как электроны и дырки, обладая тепловой энергией, проникают в запирающий слой и отражаются полем § к. Кроме того, в запирающем слое могут протекать процессы генерации подвижных носителей заряда и их рекомбинации. Эти явления мы рассмотрим несколько позже, при обсуждении физических процессов в реальных приборах ( см. гл. Используя это идеализированное представление р-п перехода, определим основные физические величины. [22]
Поскольку область пространственного заряда обедняется свободными носителями, ее сопротивление будет выше, чем сопротивление объема полупроводника. Таким образом, на границе областей образуются два слоя противоположных по знаку зарядов. [23]
При токе, равном 4 - 10 - 4 А, падение напряжения на сопротивлениях объемов р - и / г-областей равно 1 3 - 10 - 4 В. [24]
 |
Трехмерная модель сплавного транзистора с кольцевой базой. [25] |
В реальном транзисторе токи, протекающие по базовой области, вызывают падение напряжения на сопротивлении объема кристалла. Это сопротивление называют обычно объемным сопротивлением базы. [26]
На первый взгляд из выражения (31.18) следует, что для повышения предельной частоты vnp выгодно уменьшать сопротивление объема. [27]
Аналогичный характер зависимостей проявляется и у параметров-проводимостей и параметров-сопротивлений эквивалентного четырехполюсника при средних токах, пока сопротивления объемов полупроводника ( гб, г6, гкл, лэ. Напряжение коллектора влияет на толщину коллекторного перехода и, следовательно, изменяет толщину базы ш и напряженность поля в коллекторном переходе. [29]
Если приложенное напряжение U значительно превышает высоту барьера ф0 / е, то ток через диод, как показано в § 21, будет ограничиваться сопротивлением объема. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5