Сопротивление - объем
Cтраница 3
Как указывалось выше, характеристики туннельных диодов мало изменяются при понижении температуры в отличие от обычных диодов, где при температурах ниже 20 - 50Q К сопротивление объема резко возрастает и диод теряет выпрямляющие свойства. [31]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для СВЧ диапазона. [32] |
Простейшая из них ( рис. 2 - 18), кроме нелинейной проводимости запорного слоя 8, учитывает емкость, шунтирующую этот слой С, и сопротивление объема полупроводника г. Элемент С в общем случае включает в себя барьерную емкость, зависящую от приложенного к диоду напряжения, и диффузионную, характеризующую накопление носителей в объеме полупроводника и зависящую, таким образом, от прямого тока, протекающего через диод. Диффузионная емкость зависит от частоты тока, причем с повышением частоты убывает, стремясь к нулю. Сопротивление объема полупроводника г зависит от концентрации носителей в полупроводнике и при больших токах через диод уменьшается. Точный учет всех этих зависимостей достаточно сложен и на практике часто считают элементы Сиг линейными, приписывая им средние за период рабочей частоты значения. [33]
 |
Экспериментальные зависимости температуры корпуса тиристоров типа КУ201 от частоты коммутируемых сигналов.| Эпюра переходного процесса выключения тиристора ( или диода обратным напряжением. [34] |
Рост тепловых потерь при повышении частоты вызван, с одной стороны, переходным процессом, сопровождающим запирание проводящего тиристора или диода полуволной обратного напряжения продолжительностью, равной времени восстановления обратного сопротивления tSOCCT, а с другой стороны, временем модуляции сопротивления объема базы тиристора ( диода), влияющим на величину прямого падения напряжения при протекании полуволны прямого тока. Восст для конкретного прибора может быть принята постоянной. Она является конструктивно-технологическим параметром, тесно связанным с временем жизни неосновных носителей тока в приборе. [35]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода для средних частот.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для диапазона СВЧ. [36] |
Диффузионная емкость зависит от частоты тока и с повышением частоты убывает, стремясь к нулю. Сопротивление объема полупроводника г зависит от концентрации носителей в полупроводнике и при больших токах через диод уменьшается. Точный учет всех этих зависимостей достаточно сложен, и на практике часто считают элементы С и г линейными, приписывая им средние за период рабочей частоты значения. [37]
Для включения с бщей базой Т - образная эквивалентная схема транзистора приведена на рис. 4.14. В ней эмиттерный и коллекторный переходы представлены дифференциальными сопротивлениями га и гк. Сопротивление Гб является сопротивлением объема базы. [38]
 |
Схема, поясняющая зависимость эквивалентной электропроводности от удельной электропроводности. [39] |
Эту величину называют емкостью сопротивления или постоянной кондуктометрической ( электролитической) ячейки. Она показывает, во сколько раз сопротивление объема раствора электролита, измеренное в данной ячейке, отличается от удельного сопротивления. [40]
 |
Вольт-амперная характеристика мого, поэтому на р-п перехода ( сплошная линия и реаль - для положительных И отри-ного диода ( пунктирная линия дательных токов взят раз. [41] |
В идеальном р-п переходе, когда прямое напряжение становится равным величине контактной разности потенциалов UK, барьер исчезает и ток через переход стремится к бесконечности. В диодах при больших токах сопротивление р-п перехода становится значительно меньше сопротивления объема материала, поэтому при больших токах последнее и определяет падение напряжения на диоде. [42]
 |
Образование обедненного ( а, инверсного ( б и обогащенного ( в слоев в полупроводнике вблизи металлургического контакта с металлом при работе выхода в металле меньше, чем в полупроводнике. [43] |
В обедненных слоях пространственный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - из-за накопления основных носителей заряда. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление приконтактной области полупроводника по сравнению с сопротивлением объема полупроводника. [44]
При прямом включении диода ток через него возрастает с напряжением слабее, чем для р-п перехода. Объясняется это тем, что в диодах последовательно с р-п переходом включено сопротивление объема полупроводникового материала, падение напряжения на котором тем больше, чем больше ток через диод. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5