Сопротивление - эмиттерной переход
Cтраница 1
Сопротивление эмиттерного перехода гэ, как следует из выражения ( 4 - 22), обратно пропорционально току эмиттера вплоть до очень малых значений последнего. Зависимость ra ( к) очень слаба, и практически ею можно пренебречь. [1]
Сопротивление эмиттерного перехода гэ обратно пропорционально току эмиттера и практически не зависит от напряжения коллектора. [2]
Сопротивление эмиттерного перехода гэ, как: ледует из выражения ( 4 - 22), обратно пропорционально току эмиттера зплоть до очень малых значений последнего. Зависимость гэ ( [ / к) очень: лаба, и практически ею можно пренебречь. [3]
 |
Коллекторные характеристики мощного транзистора. а - - в схеме ОБ. б - в схеме ОЭ. [4] |
А сопротивление эмиттерного перехода ничтожно мало и с ним практически можно не считаться. Последнее при высоких уровнях инжекции модулируется ( см. рис. 2 - 34) и обычно лежит в пределах до 10 Ом. Малое значение входного сопротивления не является препятствием для применения мощных транзисторов, если связь с источником сигнала осуществляется через трансформатор. Сопротивление коллекторного перехода при токах около 1 А составляет всего несколько кило-ом, а сопротивление г. в схеме ОЭ - сотни ом. [5]
Поскольку сопротивление прямосмещенного эмиттерного перехода мало по сравнению с сопротивлением обратносмещенного коллекторного перехода, то и мощность управления по входной эмиттерной цепи оказывается намного меньше мощности, циркулирующей в выходной цепи, содержащей коллекторный переход. Именно с этим обстоятельством связаны в конечном счете усилительные свойства транзистора. [6]
 |
Тиристор. а - схема включения, б - вольт-амперные характеристики. [7] |
Так как сопротивления эмиттерных переходов малы, а сопротивление коллекторного перехода велико, то почти все напряжение источника приложено к коллекторному p - n - переходу. Поэтому через прибор течет ток, равный току коллекторного перехода. [8]
 |
Зависимость коэффициента усиления по току ос и сопротивления эмиттера гэ от входного тока. [9] |
При этом условии сопротивление эмиттерного перехода может достигать для различных триодов нескольких тысяч или десятков тысяч ом. [10]
Входным сопротивлением является сопротивление прямо включенного эмиттерного перехода транзистора. [11]
 |
Характеристики лавинного транзистора ( а и схема включения ( б. [12] |
При очень большом токе сопротивление эмиттерного перехода оказывается меньше сопротивления R и влиянием R можно пренебречь, считая, что цепь базы оборвана. [13]
 |
Эквивалентные Т - образные схемы транзистора с генератором ЭДС ( а и тока ( б. [14] |
Сопротивление гэ представляет собой сопротивление эмиттерного перехода, к которому добавляется сопротивление эмиттерной области. Подобно этому гк является суммой сопротивлений коллекторного перехода и коллекторной области, но последнее очень мало по сравнению с сопротивлением перехода. А сопротивление сб есть поперечное сопротивление базы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5